[發明專利]待霧化基質的霧化方法、霧化芯、霧化器及電子霧化裝置

在審

• 申請號: 202111578875.6
• 申請日: 2021-12-22
• 公開（公告）號: CN114515024A
• 公開（公告）日: 2022-05-20
• 發明（設計）人: 謝寶林;鐘祺;周永權
• 申請（專利權）人: 深圳雪霧科技有限公司
• 主分類號: A24F40/46
• 分類號: A24F40/46;A24F40/10;A24F40/40
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 李寶碩

1.一種待霧化基質的霧化方法，其特征在于，該方法包括：

通過霧化芯的多孔基體將所述待霧化基質引導至所述多孔基體的霧化面；

啟動所述霧化芯，通過所述霧化面的發熱體加熱所述待霧化基質；

其中，啟動時間在0-0.2s之間時，150℃-200℃的溫度面積占比≥10％，200℃-300℃的溫度面積占比≥10％；

啟動時間在1s后，150℃-200℃的溫度面積占比≥15％，200℃-300℃的溫度面積占比≥15％，大于300℃的溫度面積占比≤10％；

其中，溫度面積占比指對應溫度的霧化面積占有效霧化區域面積的比值，有效霧化區域面積指所述發熱體沿第一方向的長度與所述多孔基體沿第二方向的寬度的乘積，所述第一方向與所述第二方向垂直。

2.根據權利要求1所述的待霧化基質的霧化方法，其特征在于，啟動時間在0-0.2s之間時，150℃-200℃的溫度面積占比為20％-30％，200℃-300℃的溫度面積占比為20％-30％；大于300℃的溫度面積占比為0％。

3.根據權利要求2所述的待霧化基質的霧化方法，其特征在于，啟動時間在0-0.2s之間時，小于150℃的溫度面積占比≤60％。

4.根據權利要求1-3任一項所述的待霧化基質的霧化方法，其特征在于，啟動時間在1s后，小于150℃的溫度面積占比≤55％；150℃-200℃的溫度面積占比為18％-25％，200℃-300℃的溫度面積占比為25％-40％，大于300℃的溫度面積占比≤5％。

5.根據權利要求4所述的待霧化基質的霧化方法，其特征在于，啟動時間在1s后，150℃-300℃的溫度面積占比≥45％。

6.一種霧化芯，其特征在于，用于執行上述如權利要求1-5任一項所述的待霧化基質的霧化方法，所述霧化芯包括：

多孔基體，具有霧化面；

發熱體，設置于所述多孔基體的霧化面，用于在所述霧化芯啟動后加熱所述多孔基體上的待霧化基質；其中，所述霧化芯的啟動時間在0-0.2s之間，且功率為5～8W時，150℃-200℃的溫度面積占比≥10％，200℃-300℃的溫度面積占比≥10％；啟動時間在1s后，150℃-200℃的溫度面積占比≥15％，200℃-300℃的溫度面積占比≥15％，大于300℃的溫度面積占比≤10％；其中，溫度面積占比指對應溫度的霧化面積占有效霧化區域面積的比值，有效霧化區域面積指所述發熱體沿第一方向的長度與所述多孔基體沿第二方向的寬度的乘積，所述第一方向與所述第二方向垂直。

7.根據權利要求6所述的霧化芯，其特征在于，所述多孔基體的孔隙率為60％-65％，所述多孔基體的導熱系數小于0.5m/c.k。

8.根據權利要求6或7所述的霧化芯，其特征在于，所述發熱體為多孔結構，且所述發熱體的平均孔徑為1-5微米，所述發熱體的孔隙率15-40％。

9.根據權利要求6所述的霧化芯，其特征在于，所述有效霧化區域內所述發熱體至所述多孔基體邊緣的最短距離≥0.5毫米。

10.根據權利要求6或9所述的霧化芯，其特征在于，所述有效霧化區域內所述發熱體呈曲線型分布，并界定出至少兩段相對的發熱段；且每相鄰兩段所述發熱段之間的最短距離為0.5-0.8毫米。

11.根據權利要求10所述的霧化芯，其特征在于，每相鄰兩段所述發熱段之間的最短距離為0.78毫米。

12.一種霧化器，其特征在于，包括：

霧化芯，為如權利要求6-11任一項所述的霧化芯。

13.一種電子霧化裝置，其特征在于，包括：

霧化器，為如權利要求12所述的霧化器；

電源組件，與所述霧化器連接，用于向所述霧化器供電，使得所述霧化器根據權利要求1-5任一項所述的霧化方法霧化所述待霧化基質。