[發(fā)明專利]顯示面板及顯示裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202111577201.4 | 申請(qǐng)日: | 2021-12-22 |
| 公開(公告)號(hào): | CN114256287A | 公開(公告)日: | 2022-03-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉希曼 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | TCL華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/15 | 分類號(hào): | H01L27/15;G09F9/33 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 楊艇要 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,所述顯示面板包括:
基板,具有相對(duì)的第一側(cè)面和第二側(cè)面;
導(dǎo)電走線層,設(shè)置在所述基板的第一側(cè)面上,所述導(dǎo)電走線層具有靠近所述基板邊緣的側(cè)邊面;
第一封裝層,設(shè)置在所述導(dǎo)電走線層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè);
第二封裝層,至少部分設(shè)置在所述導(dǎo)電走線層的側(cè)邊面上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述第二封裝層自所述基板的第二側(cè)面邊緣朝向所述第一封裝層延伸;和/或,
所述第二封裝層自所述第一封裝層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)邊緣朝向所述基板延伸。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示面板,其特征在于,所述第二封裝層覆蓋所述基板、所述導(dǎo)電走線層和所述第一封裝層的側(cè)邊面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述第二封裝層部分設(shè)置在所述第一封裝層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的顯示面板,其特征在于,所述第二封裝層的厚度大于或等于200微米且小于或等于400微米;所述第一封裝層的厚度大于或等于300微米且小于或等于500微米。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的顯示面板,其特征在于,所述第二封裝層的材質(zhì)的透濕率小于或等于50克每平方米24小時(shí)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述導(dǎo)電走線層包括多條導(dǎo)電走線,所述導(dǎo)電走線包括第一導(dǎo)電段和第二導(dǎo)電段,所述第一導(dǎo)電段和所述第二導(dǎo)電段沿所述導(dǎo)電走線的長(zhǎng)度方向依次分布,所述第一導(dǎo)電段與所述第二導(dǎo)電段電連接;所述第一導(dǎo)電段的材質(zhì)為金屬氧化物。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示面板,其特征在于,所述第一導(dǎo)電段位于所述導(dǎo)電走線層靠近所述第二封裝層的邊緣。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示面板,其特征在于,所述導(dǎo)電走線包括多個(gè)所述第一導(dǎo)電段和多個(gè)所述第二導(dǎo)電段,所述第一導(dǎo)電段和所述第二導(dǎo)電段在所述導(dǎo)電走線的長(zhǎng)度方向上交替設(shè)置。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示面板,其特征在于,每個(gè)所述第二導(dǎo)電段位于相鄰兩個(gè)所述第一導(dǎo)電段之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示面板,其特征在于,多條所述導(dǎo)電走線并列設(shè)置在所述基板上,每條所述導(dǎo)電走線包括多個(gè)所述第一導(dǎo)電段和多個(gè)所述第二導(dǎo)電段;相鄰兩條所述導(dǎo)電走線的第一導(dǎo)電段在多條所述導(dǎo)電走線的分布方向上錯(cuò)位設(shè)置。
12.一種顯示裝置,其特征在于,所述顯示裝置包括權(quán)利要求1至11任一項(xiàng)所述的顯示面板。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





