[發明專利]一種單晶硅生產用增加投料量的裝置及其使用方法在審
| 申請號: | 202111574989.3 | 申請日: | 2021-12-21 |
| 公開(公告)號: | CN114457421A | 公開(公告)日: | 2022-05-10 |
| 發明(設計)人: | 楊昊;李江峰;楊陽;李向宇 | 申請(專利權)人: | 弘元新材料(包頭)有限公司 |
| 主分類號: | C30B29/06 | 分類號: | C30B29/06;C30B35/00 |
| 代理公司: | 北京睿博行遠知識產權代理有限公司 11297 | 代理人: | 王建文 |
| 地址: | 014030 內蒙古自治區包頭*** | 國省代碼: | 內蒙古;15 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 單晶硅 生產 增加 投料 裝置 及其 使用方法 | ||
本發明公開了一種單晶硅生產用增加投料量的裝置及其使用方法,涉及單晶硅制造技術領域。本發明包括堝邦組件、堝拖組件和石英堝,堝邦組件安裝在堝拖組件的上方,堝邦組件包括有堝邦主體、堝底和第一連接卡條,堝邦主體內側的底端固定有堝底,堝底的中部開設有連接孔,且堝底的橫切面形狀為下凹的弧形,堝底的底端固定有若干組第一連接卡條。本發明通過對結構的設計,可根據不同規格的堝邦主體選取對應規格的加高支撐環,將加高支撐環與堝邦主體安裝,能夠增加裝置整體的高度,進而增加裝置的投料量,且成本更低,對熱場影響小,受生長參數制約小,且能夠方便將堝邦組件整體從堝拖組件上取下,能夠便于堝邦組件整體的快速拆裝。
技術領域
本發明屬于單晶硅制造技術領域,特別是涉及一種單晶硅生產用增加投料量的裝置及其使用方法。
背景技術
單晶硅主要用于光伏發電,是目前全世界公認和大力發展的清潔能源,但是由于單晶硅制造工藝條件要求苛刻且能耗大、成本很高,在一定程度上阻礙了光伏發電的大力推廣,因此在滿足單晶硅生長條件的同時,降低能耗和降低生產成本是當前急需解決的問題,但是現有的增加單晶硅投料量的方法是制作容量更大的坩堝,成本較高,且對熱場影響較大,受生長參數制約大。
發明內容
本發明的目的在于提供一種單晶硅生產用增加投料量的裝置及其使用方法,以解決現有的問題:現有的增加單晶硅投料量的方法是制作容量更大的坩堝,成本較高,且對熱場影響較大,受生長參數制約大。
為解決上述技術問題,本發明是通過以下技術方案實現的:一種單晶硅生產用增加投料量的裝置,包括堝邦組件、堝拖組件和石英堝,所述堝邦組件安裝在堝拖組件的上方,所述堝邦組件包括有堝邦主體,所述堝邦主體的頂端裝配有加高支撐環,所述石英堝位于堝邦組件的內部。
進一步地,所述堝邦組件還包括有堝底和第一連接卡條,所述堝邦主體內側的底端固定有堝底,所述堝底的中部開設有連接孔,且所述堝底的橫切面形狀為下凹的弧形,所述堝底的底端固定有若干組第一連接卡條。
進一步地,所述堝拖組件包括有堝拖板、連接底座和第二連接卡條,所述堝拖板頂端的中部固定有連接底座,所述連接底座的上表面的橫切面形狀為下凹的弧形,所述堝拖板的上表面還固定有若干組第二連接卡條。
進一步地,所述加高支撐環底端的內側設置有凹槽,所述堝邦主體的頂端固定有環形凸塊,所述加高支撐環與堝邦主體通過凹槽與環形凸塊配合安裝。
進一步地,所述堝邦組件、堝拖組件與加高支撐環均采用C-C材質制成。
一種單晶硅生產用增加投料量的裝置的使用方法,用于上述的一種單晶硅生產用增加投料量的裝置,步驟如下;
S1:將堝拖組件裝入單晶爐內;
S2:根據所需選擇合適規格的堝邦組件;
S3:將堝邦組件放入單晶爐內,并將堝邦組件上的第一連接卡條與堝拖組件上的第二連接卡條錯開位置;
S4:順時針旋轉堝邦組件,將第一連接卡條與第二連接卡條卡接,完成堝邦組件與堝拖組件的連接;
S5:選取與堝邦組件對應規格的加高支撐環;
S6:將加高支撐環具有卡槽的部位朝下,扣在堝邦主體上,將加高支撐環與堝邦主體安裝在一起。本發明具有以下有益效果:
1、本發明通過對結構的設計,可根據不同規格的堝邦主體選取對應規格的加高支撐環,將加高支撐環與堝邦主體安裝,能夠增加裝置整體的高度,進而增加裝置的投料量,且成本更低,對熱場影響小,受生長參數制約小。
2、本發明通過對結構的設計,能夠方便將堝邦組件整體從堝拖組件上取下,能夠便于堝邦組件整體的快速拆裝。
附圖說明
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