[發(fā)明專利]劃片機多序列晶圓切割方法、系統(tǒng)、智能終端及存儲介質在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202111573089.7 | 申請日: | 2021-12-21 |
| 公開(公告)號: | CN114361066A | 公開(公告)日: | 2022-04-15 |
| 發(fā)明(設計)人: | 楊云龍;呂孝袁;李鋮 | 申請(專利權)人: | 江蘇京創(chuàng)先進電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京維正專利代理有限公司 11508 | 代理人: | 何爽 |
| 地址: | 215500 江蘇省蘇州市*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 劃片 序列 切割 方法 系統(tǒng) 智能 終端 存儲 介質 | ||
本申請涉及半導體器件封裝技術領域,尤其涉及一種劃片機多序列晶圓切割方法、系統(tǒng)、智能終端及存儲介質,旨在解決現(xiàn)有技術存在劃片機只能加工單一尺寸晶片的問題,其技術方案是一種劃片機多序列晶圓切割方法,包括:獲取待加工的產品序列,所述產品序列至少包括待加工產品的尺寸信息以及各個尺寸對應的產品數(shù);獲取晶圓圖像,在所述晶圓圖像上建立以晶圓圓心為坐標原點的二維坐標系,基于所述產品序列在二維坐標系上生成待加工產品的分布陣列;基于所述分布陣列獲取切割指令集,所述切割指令至少包括切割路徑以及步距序列;基于所述切割指令集控制切割設備執(zhí)行晶圓切割,本申請具有使得劃片機可以在同一晶圓上加工不同尺寸的晶片的效果。
技術領域
本申請涉及半導體器件封裝技術領域,尤其是涉及一種劃片機多序列晶圓切割方法、系統(tǒng)、智能終端及存儲介質。
背景技術
晶圓(Wafer)是指制作硅半導體電路所用的硅晶片,其原始材料是硅。高純度的多晶硅溶解后摻入硅晶體晶種,然后拉出成型為圓柱形的單晶硅。硅晶棒在經(jīng)過研磨、拋光以及切片之后,形成硅晶圓片,也就是晶圓。為了方便光雕設備進行加工,晶圓通常有一定的規(guī)格如8英寸、12英寸等,而成品的芯片通常是面積很小,因此需要在經(jīng)過光雕之后的晶圓上進行切割,獲得一塊一塊小的晶片。晶圓上的一個小塊,就是一個晶片晶圓體,經(jīng)過封裝后就成為了一個顆粒,經(jīng)過再度加工、測試、封裝以及包裝,最終獲得芯片產品。
目前,常見的晶圓切割方法通常采用劃片機按照預設的步長進行切割,一片晶圓通常只包括一種芯片尺寸,使得芯片批量生產時方便操作,有利于前期的晶圓制造和后期的封裝。
在實現(xiàn)本申請的過程中,發(fā)明人發(fā)現(xiàn)上述技術至少存在以下問題:
采用劃片機在晶圓上加工固定尺寸的芯片時,若芯片的需求量小于該晶圓芯片的產出量,晶圓上的剩余部分容易發(fā)生浪費,增大了芯片的生產成本。
發(fā)明內容
為了使得劃片機可以在同一晶圓上加工不同尺寸的晶片,本申請?zhí)峁┮环N劃片機多序列晶圓切割方法、系統(tǒng)、智能終端及存儲介質。
第一方面,本申請?zhí)峁┑囊环N劃片機多序列晶圓切割方法,采用如下的技術方案:
一種劃片機多序列晶圓切割方法,所述方法包括以下步驟:
獲取待加工的產品序列,所述產品序列至少包括待加工產品的尺寸信息以及各個尺寸對應的產品數(shù);
獲取晶圓圖像,在所述晶圓圖像上建立以晶圓圓心為坐標原點的二維坐標系,基于所述產品序列在二維坐標系上生成待加工產品的分布陣列;
基于所述分布陣列獲取切割指令集,所述切割指令至少包括切割路徑以及步距序列;
基于所述切割指令集控制切割設備執(zhí)行晶圓切割。
通過采用上述技術方案,可以同時獲取包括多個待加工產品的產品序列,取代了以單一尺寸的產品作為產品序列進行加工,進而提高了劃片機加工晶片的靈活性,降低了當所需產品數(shù)量較少時,劃片機生產單一尺寸的晶片,造成晶圓材料浪費的可能性,通過在晶圓圖像上建立坐標系,實現(xiàn)了產品序列的有序分布,進而有助于提高為產品序列生成切割指令集的運算效率,不同尺寸的產品需要采用不同的步距進行切割,將步距包括在切割指令集中有助于實現(xiàn)多尺寸的產品序列的生產加工。
可選的,產品序列還包括不同尺寸的所述待加工產品對應的生產優(yōu)先級。
通過采用上述技術方案,有助于獲取不同尺寸產品的產品序列,進而在劃片機加工晶圓的過程中得以將生產優(yōu)先級加入到產品序列的排序工作中,拓寬了對產品序列進行加工排序時的可參考數(shù)據(jù),有助于更好地提高產品序列的排序準確度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





