[發明專利]一種陶瓷件及其加工方法

有效

• 申請號: 202111571356.7
• 申請日: 2021-12-21
• 公開（公告）號: CN114292130B
• 公開（公告）日: 2022-11-15
• 發明（設計）人: 劉小俊;高文秋;韋其紅;欒強;王洪升;石江;蘇通;翟萍;于海杰;張斌
• 申請（專利權）人: 山東工業陶瓷研究設計院有限公司
• 主分類號: C04B41/89
• 分類號: C04B41/89;C04B41/00;B24B1/00
• 代理公司: 北京志霖恒遠知識產權代理有限公司 11435
• 代理人: 趙奕

1.一種陶瓷件，其特征在于，包括陶瓷坯體；

所述陶瓷坯體劃分透波區、屏蔽區；

所述屏蔽區表面依次涂覆金屬過渡層、導電層、保護層；

所述金屬過渡層一側與陶瓷坯體表面鍵合，所述金屬過渡層另一側與導電層共晶，所述導電層遠離金屬過渡層的一側與保護層共晶；

所述保護層包括惰性金屬；

所述金屬過渡層包括鉻、鎳、鋅、鈦、銀中的一種或多種的金屬單質和金屬氧化物；

所述金屬氧化物包括氧化硅粉、氧化鋁粉、氧化鋅粉、氧化硼粉中的一種或多種。

2.根據權利要求1所述的陶瓷件，其特征在于，所述導電層包括銅、鋁、鐵中的一種或多種的金屬單質。

3.一種陶瓷件加工方法，其特征在于，包括以下步驟：

將陶瓷坯體表面劃分透波區、屏蔽區；

對屏蔽區進行等離子處理；

將第一金屬漿料涂覆在屏蔽區面；

將第二金屬漿料涂覆第一金屬漿料表面；

將第三金屬漿料涂覆第二金屬漿料表面；

在常壓空氣中對陶瓷坯體進行燒結，使第一金屬漿料一側與陶瓷坯體表面鍵合，另一側與導電層共晶，形成金屬過渡層；

使第二金屬漿料一側與金屬過渡層遠離陶瓷坯體的一側共晶，形成導電層；

使第三金屬漿料一側與導電層遠離金屬過渡層的一側共晶，形成保護層；

所述第三金屬漿料包括銀、金、鉑、鈀中的一種或多種金屬粉；

所述第一金屬漿料包括第一金屬粉、金屬氧化物、第一溶劑；

所述第一金屬粉質量占第一金屬漿料總質量的60～80%，所述金屬氧化物質量占第一金屬漿料總質量的10～25%，所述第一溶劑質量占第一金屬漿料總質量的10～15%；

所述金屬氧化物包括氧化硅粉、氧化鋁粉、氧化鋅粉、氧化硼粉中的一種或多種；

和/或

所述第一溶劑為丁基卡必醇、二乙二醇丁醚醋酸酯、異佛爾酮中的一種或多種。

4.根據權利要求3所述的陶瓷件加工方法，其特征在于，所述第一金屬漿料的粘度大于400mPa?s；

和/或

所述第二金屬漿料的粘度大于350mPa?s；

和/或

所述第三金屬漿料的粘度大于350mPa?s。

5.根據權利要求3所述的陶瓷件加工方法，其特征在于，陶瓷坯體進行燒結的具體過程為，在常壓空氣中燒結，所述燒結溫度為600℃～850℃，燒結時間為5～30min。

6.根據權利要求3所述的陶瓷件加工方法，其特征在于，所述第一金屬漿料涂覆時，所述第一金屬漿料涂覆厚度為30～200nm；

和/或

所述第二金屬漿料涂覆時，分多次涂覆所述第二金屬漿料，單次涂覆厚度為300～1000nm；每次涂覆所述第二金屬漿料后，在80～150℃下干燥5min～30min；

和/或

所述第二金屬漿料涂覆厚度為5～30μm；

和/或

所述第三金屬漿料涂覆時，涂覆所述第三金屬漿料厚度為200～500nm；涂覆所述第三金屬漿料后，在80～150℃下干燥5min～20min。

7.根據權利要求3所述的陶瓷件加工方法，其特征在于，還包括以下步驟：

對屏蔽層進行等離子處理之前，對屏蔽區表面進行打磨拋光處理；

和/或

陶瓷坯體進行燒結后，對陶瓷坯體進行表面疏水改性處理。