[發明專利]Micro LED芯片組件、顯示面板及制造方法

在審

• 申請號: 202111566794.4
• 申請日: 2021-12-20
• 公開（公告）號: CN114300500A
• 公開（公告）日: 2022-04-08
• 發明（設計）人: 趙永超
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L33/00;H01L33/62
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 王芳芳

本申請提供一種Micro LED芯片組件、顯示面板及制造方法，顯示面板的制造方法包括提供外延襯底、在外延襯底上設置多個間隔設置的Micro LED芯片、在Micro LED芯片上設置錫柱、去除外延襯底、采用轉移頭夾持錫柱并將Micro LED芯片轉移至背板、采用回流焊工藝將Micro LED芯片和背板上的焊盤焊接，同時融化錫柱。采用轉移頭夾持，精度較高，同時不會直接夾持到芯片，防止損傷芯片；通過回流焊工藝將LED芯片和焊盤連接，同時錫柱在回流焊過程中融化在Micro LED芯片表面，不影響后續封膠制程的情況下提高了Micro LED芯片的導電能力，同時該顯示面板的制作方法工藝簡單，節約了制作成本。

技術領域

本申請涉及半導體器件制作技術領域，尤其涉及一種Micro LED芯片組件、顯示面板及制造方法。

背景技術

隨著LED技術不斷發展，Micro LED顯示已成未來顯示行業的一大趨勢，Micro LED搭配巨量轉移技術可以結合不同的顯示面板，創造出透明、彎曲以及柔性等顯示效果，因此其可以成為和OLED技術相媲美的主流顯示技術。

目前主流的巨量轉移技術包括以下幾類：

(1)采用具有單、雙極結構的轉移頭的靜電力轉移方式，在轉移過程中分別施加正負電壓，利用靜電力從襯底上抓取Micro LED；

(2)采用粘附力的轉移方式，使用彈性印模并結合高精度運動控制打印頭，利用范德華力讓Micro LED黏附在轉移頭上；

(3)采用電磁力的轉移方式，在Micro LED上混入諸如鐵鈷鎳等磁性材料，利用電磁力進行吸附和釋放。

但上述巨量轉移工藝均比較復雜，且存在轉移精度比較低的問題，還增加了MicroLED的制作成本。

發明內容

本申請實施例提供一種Micro LED芯片組件、顯示面板及制造方法，以解決現有的巨量轉移工藝比較復雜且精度較低的問題。

第一方面，本申請實施例提供一種顯示面板的制作方法，包括：

提供外延襯底；

在所述外延襯底上設置多個間隔設置的Micro LED芯片；

在所述Micro LED芯片上設置錫柱；

去除外延襯底；

采用轉移頭夾持錫柱并將Micro LED芯片轉移至背板；

采用回流焊工藝將Micro LED芯片和背板上的焊盤焊接，同時融化錫柱。

可選的，所述在所述Micro LED芯片上設置錫柱包括：

采用電鍍光阻工藝在所述Micro LED芯片上形成錫柱，以控制錫柱的高度和寬度。

可選的，所述在所述外延襯底上設置多個間隔設置的Micro LED芯片包括：

在所述外延襯底上依次設置的第一電極、第一半導體層、多量子阱層、第二半導體層、第二電極，以形成Micro LED芯片。

可選的，所述采用轉移頭夾持錫柱并將Micro LED芯片轉移至背板包括：

夾持時采用逐一夾取，轉移時采用逐一放置。

可選的，所述融化錫柱之后，所述方法還包括：

將融化后的錫柱形成為覆蓋于所述Micro LED芯片的錫膜。

可選的，所述外延襯底包括襯底基板和熱解膠薄膜層，所述去除外延襯底包括：

加熱所述熱解膠薄膜層使其融化，以使所述Micro LED芯片與所述襯底基板分離。