[發(fā)明專利]Micro LED芯片組件、顯示面板及制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202111566794.4
• 申請(qǐng)日: 2021-12-20
• 公開（公告）號(hào): CN114300500A
• 公開（公告）日: 2022-04-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙永超
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: TCL華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/15
• 分類號(hào): H01L27/15;H01L33/00;H01L33/62
• 代理公司: 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 王芳芳

1.一種顯示面板的制作方法，其特征在于，包括：

提供外延襯底；

在所述外延襯底上設(shè)置多個(gè)間隔設(shè)置的Micro LED芯片；

在所述Micro LED芯片上設(shè)置錫柱；

去除外延襯底；

采用轉(zhuǎn)移頭夾持錫柱并將Micro LED芯片轉(zhuǎn)移至背板；

采用回流焊工藝將Micro LED芯片和背板上的焊盤焊接，同時(shí)融化錫柱。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板的制作方法，其特征在于，所述在所述Micro LED芯片上設(shè)置錫柱包括：

采用電鍍光阻工藝在所述Micro LED芯片上形成錫柱，以控制錫柱的高度和寬度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板的制作方法，其特征在于，所述在所述外延襯底上設(shè)置多個(gè)間隔設(shè)置的Micro LED芯片包括：

在所述外延襯底上依次設(shè)置的第一電極、第一半導(dǎo)體層、多量子阱層、第二半導(dǎo)體層和第二電極，以形成Micro LED芯片。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板的制作方法，其特征在于，所述采用轉(zhuǎn)移頭夾持錫柱并將Micro LED芯片轉(zhuǎn)移至背板包括：

采用轉(zhuǎn)移頭逐一夾取錫柱，并逐一轉(zhuǎn)移和放置每一個(gè)所述Micro LED芯片至背板。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板的制作方法，其特征在于，所述融化錫柱之后，所述方法還包括：

將融化后的錫柱形成為覆蓋于所述Micro LED芯片的錫膜。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板的制作方法，其特征在于，所述外延襯底包括襯底基板和熱解膠薄膜層，所述去除外延襯底包括：

加熱所述熱解膠薄膜層使其融化，以使所述Micro LED芯片與所述襯底基板分離。

7.一種Micro LED芯片組件，其特征在于，包括：

外延襯底，

多個(gè)Micro LED芯片，所述多個(gè)Micro LED芯片間隔設(shè)置在外延襯底上；

錫柱，所述錫柱設(shè)置在所述Micro LED芯片遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè)，所述錫柱用于被夾持以將Micro LED芯片轉(zhuǎn)移。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的Micro LED芯片組件，其特征在于，所述外延襯底包括：

襯底基板，

熱解膠薄膜層，設(shè)置于所述襯底基板朝向所述Micro LED芯片一側(cè)，所述熱解膠薄膜層用于加熱后融化，以使所述Micro LED芯片與所述襯底基板分離。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的Micro LED芯片組件，其特征在于，所述Micro LED芯片包括沿背離所述外延襯底方向依次設(shè)置的第一電極、第一半導(dǎo)體層、多量子阱層、第二半導(dǎo)體層、第二電極。

10.一種顯示面板，其特征在于，包括：

背板；

多個(gè)焊盤，多個(gè)所述焊盤間隔設(shè)置；

多個(gè)Micro LED芯片，所述多個(gè)Micro LED芯片對(duì)應(yīng)設(shè)置在所述焊盤上；

導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層設(shè)置在所述Micro LED芯片遠(yuǎn)離所述背板的一側(cè)，所述導(dǎo)電層由錫柱融化形成，所述錫柱用于被夾持以將Micro LED芯片轉(zhuǎn)移至所述背板。