[發明專利]顯示面板及移動終端有效
| 申請號: | 202111552189.1 | 申請日: | 2021-12-17 |
| 公開(公告)號: | CN114335087B | 公開(公告)日: | 2022-11-08 |
| 發明(設計)人: | 姚佳序 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G06F3/044 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 熊恒定 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 移動 終端 | ||
本申請公開了一種顯示面板及移動終端;該顯示面板包括基板、發光層、觸控層、第一折射率層、以及第二折射率層,第二折射率層的折射率大于第一折射率層的折射率,觸控層包括設置在顯示區的觸控電極和與觸控電極電連接的觸控走線,觸控走線從顯示區延伸至非顯示區,第一折射率層包括第一類凹槽和第二類凹槽,第一類凹槽覆蓋觸控走線設置,第二類凹槽包括至少一個不與觸控走線重疊設置的子凹槽;本申請通過遠離所述顯示區的一側設置至少一個不與觸控走線重疊設置的子凹槽,減少了阻隔槽和觸控走線的交疊面積,改善了因阻隔槽的過刻蝕而導致觸控走線失效的技術問題。
技術領域
本申請涉及顯示技術領域,尤其涉及一種顯示面板及移動終端。
背景技術
目前,為降低OLED(Organic Light-Emitting Diode,有機發光二極管)顯示面板的功耗,以及提高OLED顯示面板的效率,面板廠商不斷推出新的技術。例如,借助幾何光學,通過在OLED屏體內設置MLP(Microlens Pattern,微陣列),以將OLED屏體發出的較為發散的光匯聚至屏體正上方,是提高OLED顯示面板出光效率的有效手段之一。
然而,MLP技術中的微陣列圖形通常需要一道噴墨打印制程來制備,并使其平坦,以方便后續制程。而噴墨打印制程需要提前在屏體周圍設置狹縫,以阻擋墨水的流動,限制墨水的覆蓋范圍。而由于觸控走線與MLP膜層相鄰設置,且觸控走線與狹縫存在交疊區域,在對狹縫進行蝕刻時,易出現過蝕刻使得觸控走線暴露而導致觸控失效的技術問題。
發明內容
本申請提供一種顯示面板及移動終端,以解決現有顯示面板中觸控走線易出現觸控失效的技術問題。
為解決上述方案,本申請提供的技術方案如下:
本申請提供一種顯示面板,所述顯示面板包括顯示區以及位于所述顯示區至少一側的非顯示區;所述顯示面板還包括:
基板:
發光層,設置于所述基板的一側,所述發光層包括多個設置在所述顯示區中的發光像素;
觸控層,設置在所述發光層遠離所述基板的一側,所述觸控層包括設置在顯示區的觸控電極和與觸控電極電連接的觸控走線,所述觸控走線從所述顯示區延伸至所述非顯示區;
第一折射率層,設置于所述觸控層遠離所述基板的一側,所述第一折射率層包括分布于所述顯示區內的多個與所述發光像素對應的第一開口;
第二折射率層,設置于所述第一折射率層遠離所述基板的一側,并填充多個所述第一開口,所述第二折射率層的折射率大于所述第一折射率層的折射率;
其中,所述第一折射率層還包括分布于所述非顯示區內的沿第一方向延伸的多個阻隔槽,所述多個阻隔槽包括第一類凹槽和第二類凹槽,所述第一類凹槽覆蓋所述觸控走線設置,所述第二類凹槽包括至少一個不與所述觸控走線重疊設置的子凹槽。
在本申請的顯示面板中,所述顯示面板還包括:
驅動電路層,設置在所述基板和所述發光層之間,所述驅動電路層包括多個與相應所述發光像素電連接的驅動電路和與驅動電路電連接的驅動走線,所述驅動走線從所述顯示區延伸至所述非顯示區;
所述非顯示區包括彎折區和設置在所述彎折區和所述顯示區之間的換線區,所述觸控走線在所述換線區與所述驅動走線通過過孔電連接;
相鄰所述子凹槽之間設置有換線區。
在本申請的顯示面板中,所述第一類凹槽與所述觸控走線重疊的位置填充有覆蓋部。
在本申請的顯示面板中,所述覆蓋部包括多個至少覆蓋一條所述觸控走線的覆蓋子部。
在本申請的顯示面板中,至少一所述阻隔槽內設置有沿第二方向排列的多個阻隔組,每一個所述阻隔組包括多個沿所述第一方向排列的多個阻隔體;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





