[發明專利]顯示面板及移動終端有效
| 申請號: | 202111552189.1 | 申請日: | 2021-12-17 |
| 公開(公告)號: | CN114335087B | 公開(公告)日: | 2022-11-08 |
| 發明(設計)人: | 姚佳序 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G06F3/044 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 熊恒定 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 移動 終端 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,所述顯示面板包括顯示區以及位于所述顯示區至少一側的非顯示區;所述顯示面板還包括:
基板:
發光層,設置于所述基板的一側,所述發光層包括多個設置在所述顯示區中的發光像素;
觸控層,設置在所述發光層遠離所述基板的一側,所述觸控層包括設置在顯示區的觸控電極和與觸控電極電連接的觸控走線,所述觸控走線從所述顯示區延伸至所述非顯示區;
第一折射率層,設置于所述觸控層遠離所述基板的一側,所述第一折射率層包括分布于所述顯示區內的多個與所述發光像素對應的第一開口;
第二折射率層,設置于所述第一折射率層遠離所述基板的一側,并填充多個所述第一開口,所述第二折射率層的折射率大于所述第一折射率層的折射率;
其中,所述第一折射率層還包括分布于所述非顯示區內的沿第一方向延伸的多個阻隔槽,所述多個阻隔槽包括第一類凹槽和第二類凹槽,所述第一類凹槽覆蓋所述觸控走線設置,所述第二類凹槽包括至少一個不與所述觸控走線重疊設置的子凹槽。
2.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示面板還包括:
驅動電路層,設置在所述基板和所述發光層之間,所述驅動電路層包括多個與相應所述發光像素電連接的驅動電路和與驅動電路電連接的驅動走線,所述驅動走線從所述顯示區延伸至所述非顯示區;
所述非顯示區包括彎折區和設置在所述彎折區和所述顯示區之間的換線區,所述觸控走線在所述換線區與所述驅動走線通過過孔電連接;
相鄰所述子凹槽之間設置有換線區。
3.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述第一類凹槽與所述觸控走線重疊的位置填充有覆蓋部。
4.根據權利要求3所述的顯示面板,其特征在于,所述覆蓋部包括多個至少覆蓋一條所述觸控走線的覆蓋子部。
5.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,至少一所述阻隔槽內設置有沿第二方向排列的多個阻隔組,每一個所述阻隔組包括多個沿所述第一方向排列的多個阻隔體;
其中,相鄰兩個所述阻隔組中的所述阻隔體錯位排布,所述第一方向與所述第二方向的夾角范圍為0°至90°。
6.根據權利要求5所述的顯示面板,其特征在于,在所述顯示面板的俯視圖方向上,所述阻隔體的形狀為正方形、菱形或圓形中的至少一者。
7.根據權利要求5所述的顯示面板,其特征在于,在相鄰兩個所述阻隔組中,相鄰兩個所述阻隔體的中心間距為6微米至9微米;
其中,所述阻隔體的對角線長度為8微米至12微米。
8.根據權利要求5所述的顯示面板,其特征在于,在所述第二方向上,每一所述阻隔槽的尺寸相等,相鄰兩個所述阻隔槽的間距相等。
9.根據權利要求5所述的顯示面板,其特征在于,在所述第二方向上,每一所述阻隔槽的尺寸為40微米,相鄰兩個所述阻隔槽的間距為40微米。
10.根據權利要求5所述的顯示面板,其特征在于,在所述第二方向上,每一所述阻隔槽的尺寸大于所述第一開口的尺寸。
11.根據權利要求5所述的顯示面板,其特征在于,所述第一類凹槽包括一第一凹槽和一第二凹槽,所述第二類凹槽包括兩個分離設置的所述子凹槽,所述第二凹槽位于所述第一凹槽和子凹槽之間,所述子凹槽位于所述第二凹槽遠離所述顯示區的一側,所述第一凹槽位于所述第二凹槽靠近所述顯示區的一側;
其中,所述第二折射率層的邊界處于所述第一開口和所述第一凹槽之間;
或者,所述第二折射率層的邊界處于所述第一凹槽和所述第二凹槽之間;
或者,所述第二折射率層的邊界處于所述子凹槽和所述第二凹槽之間。
12.根據權利要求11所述的顯示面板,其特征在于,在所述第一方向上,每一個所述子凹槽的尺寸為1000微米至2000微米。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





