[發明專利]制造半導體器件的方法、使用的組件和相應的半導體器件

在審

• 申請號: 202111550048.6
• 申請日: 2021-12-17
• 公開（公告）號: CN114649216A
• 公開（公告）日: 2022-06-21
• 發明（設計）人: M·馬佐拉;R·蒂齊亞尼
• 申請（專利權）人: 意法半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L21/50;H01L21/56;H01L23/495;H01L23/31
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 黃海鳴

1.一種方法，包括：

處理片材，以形成引線框，所述片材包括第一表面、與所述第一表面相對的第二表面、以及位于所述第一表面與所述第二表面之間的引線框厚度，所述引線框包括半導體芯片安裝區域、導電結構的圖案和至少一個連接結構，所述至少一個連接結構在所述導電結構的圖案中的一對導電結構之間橋式延伸；

其中所述至少一個連接結構位于所述第一表面和所述第二表面中的一個表面處，具有小于所述引線框厚度的結構厚度；

在所述導電結構的圖案中的導電結構之間模塑電絕緣材料的填充物，其中來自所述填充物的電絕緣材料存在于所述至少一個連接結構與所述引線框的所述第一表面和所述第二表面中的另一表面之間；以及

消除所述導電結構的圖案中的所述一對導電結構之間的所述至少一個連接結構。

2.根據權利要求1所述的方法，其中處理所述片材包括：從所述片材的所述第一表面執行第一半蝕刻以及從所述片材的所述第二表面執行第二半蝕刻以形成所述引線框，并且其中模塑包括：用所述電絕緣材料填充由所述第一半蝕刻和所述第二半蝕刻提供的開口，并且固化填充所述開口的所述電絕緣材料，以具有與經處理的片材的所述第一表面共面的第一表面和與經處理的片材的所述第二表面共面的第二表面。

3.根據權利要求1所述的方法，還包括：將半導體芯片安裝到所述半導體芯片安裝區域。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述半導體芯片安裝區域存在于所述第一表面處，并且所述至少一個連接結構存在于所述第二表面處。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述至少一個連接結構與所述導電結構的圖案一起形成在所述引線框中。

6.根據權利要求1所述的方法，其中處理包括：蝕刻所述片材的金屬材料，以形成所述至少一個連接結構和所述導電結構的圖案。

7.根據權利要求1所述的方法，其中所述至少一個連接結構厚度約為所述引線框厚度的一半。

8.一種引線框，具有第一表面和與所述第一表面相對的第二表面，以及位于所述第一表面與所述第二表面之間的引線框厚度，所述引線框包括：

半導體芯片安裝區域，位于所述第一表面處；

導電結構的圖案；

至少一個連接結構，在所述導電結構的圖案中的一對導電結構之間橋式延伸；

其中所述至少一個連接結構位于所述引線框的所述第一表面和所述第二表面中的一個表面處，并且具有小于所述引線框厚度的結構厚度；以及

電絕緣材料的填充物，被模塑在所述導電結構的圖案中的導電結構之間，來自所述填充物的電絕緣材料被模塑在所述至少一個連接結構與所述引線框的所述第一表面和所述第二表面中的另一表面之間，并且所述填充物具有與所述引線框的所述第一表面共面的第一表面和與所述引線框的所述第二表面共面的第二表面。

9.根據權利要求8所述的引線框，其中所述至少一個連接結構位于所述引線框的所述第二表面處。

10.根據權利要求8所述的引線框，其中所述至少一個連接結構厚度約為所述引線框厚度的一半。

11.根據權利要求8所述的引線框，其中所述半導體芯片安裝區域、所述導電結構的圖案和所述至少一個連接結構由從所述第一表面延伸的第一半蝕刻開口和從所述第二表面延伸的第二半蝕刻開口限定。