[發明專利]半導體器件的對準方法及其對準系統在審
| 申請號: | 202111547075.8 | 申請日: | 2021-12-16 |
| 公開(公告)號: | CN114242636A | 公開(公告)日: | 2022-03-25 |
| 發明(設計)人: | 嚴杰;王桂晨;傅焰峰 | 申請(專利權)人: | 武漢光谷信息光電子創新中心有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/68 | 分類號: | H01L21/68;H01L23/544;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270 | 代理人: | 張雪;浦彩華 |
| 地址: | 430074 湖北省武漢市東湖*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體器件 對準 方法 及其 系統 | ||
1.一種半導體器件的對準方法,其特征在于,包括:
提供第一表面具有待對準元件的第一半導體器件、及第二半導體器件;所述第一半導體器件以所述第一表面朝向基板的方式設置在所述基板表面上;
在所述基板表面上形成多個標記,所述多個標記形成坐標系;
獲取所述待對準元件在所述坐標系中的第一坐標集;
基于所述第一坐標集及所述第二半導體器件的尺寸,確定第二坐標集;
將所述第二半導體器件置于與所述第二坐標集對應的位置處,以使所述待對準元件與所述第二半導體器件實現對準。
2.根據權利要求1所述的對準方法,其特征在于,在所述基板上形成多個標記,包括:
通過三維3D打印工藝,在所述基板表面上形成多個標記。
3.根據權利要求1所述的對準方法,其特征在于,獲取所述待對準元件在所述坐標系中的第一坐標集,包括:
獲取所述待對準元件在所述第一半導體器件中的位置;
獲取所述第一半導體器件在所述坐標系中的第三坐標集;
根據所述待對準的元件在所述第一半導體器件中的位置及所述第三坐標集,確定所述第一坐標集。
4.根據權利要求1所述的對準方法,其特征在于,所述方法還包括:
在將所述第二半導體器件置于與所述第二坐標集對應的位置處之前,對所述第一半導體器件和所述第二半導體器件執行側面及表面的平行度校準。
5.根據權利要求1所述的對準方法,其特征在于,所述第一半導體器件包括光芯片,所述待對準元件包括光纖接口,所述第二半導體器件包括待耦合光器件;所述基板表面包括并列設置的第一區域和第二區域,所述第一區域處的所述基板的厚度大于所述第二區域處的所述基板的厚度;所述第一半導體器件設置在所述第一區域上,所述第二半導體器件設置在所述第二區域上。
6.根據權利要求5所述的對準方法,其特征在于,所述第一半導體器件和所述第二半導體器件的形狀均包括立方體,所述第一半導體器件具有相互垂直的第一側面、第二側面,所述第一側面、第二側面均與所述第一表面垂直,所述待對準元件的延伸方向與所述第一側面平行;所述第二半導體器件具有第二表面及相互垂直的第三側面、第四側面,所述第二半導體器件以所述第二表面朝向所述基板的方式設置在所述基板表面上,所述第三側面、第四側面均與所述第二表面垂直;
所述方法還包括:
在將所述第二半導體器件置于與所述第二坐標集對應的位置處之前,將所述第二半導體器件置于所述基板的第二區域的上方;
基于所述第一半導體器件,調整所述第一半導體器件與第二半導體器件的相對位置關系,使得所述第一側面與所述第三側面平行,所述第二側面與所述第四側面平行,所述第一表面與所述第二表面平行。
7.根據權利要求6所述的對準方法,其特征在于,所述將所述第二半導體器件置于與所述第二坐標集對應的位置處,包括:
將所述第二半導體器件置于中間位置處;所述第二半導體器件置于所述中間位置處時在所述第二區域上的投影與所述第二半導體器件置于所述第二坐標集對應的位置處時在所述第二區域上的投影重疊;
將所述第二半導體器件向靠近所述第二區域的方向移動,直到與所述第二區域接觸;
將所述第二半導體器件向遠離所述第二區域的方向移動,以使所述第二半導體器件的第三表面與所述第二區域的間距為第一距離;所述第三表面與所述第二表面互為相反面;所述第一距離為第二距離與所述第二半導體器件的厚度之差;所述第二距離為所述第二區域和所述第一表面的間距。
8.根據權利要求5所述的對準方法,其特征在于,所述方法還包括:
在所述基板的第一區域中設置多個凸點;
通過倒裝貼片工藝,將所述第一半導體器件的第一表面固定在所述多個凸點上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





