[發明專利]一種采用光學浮區法制備鋁酸鍶單晶體的工藝在審
| 申請號： | 202111546460.0 | 申請日： | 2021-12-16 |
| 公開（公告）號： | CN114369871A | 公開（公告）日： | 2022-04-19 |
| 發明（設計）人： | 蘆宇辰;熊定康;陳龍;侯晶文;鄧文;徐守磊;張群躍;黃彬;楊煜華 | 申請（專利權）人： | 廣西大學 |
| 主分類號： | C30B29/22 | 分類號： | C30B29/22;C30B28/02;C30B13/00;C30B33/02 |
| 代理公司： | 北京盛凡佳華專利代理事務所(普通合伙) 11947 | 代理人： | 趙浩淼 |
| 地址： | 530003 廣西壯族*** | 國省代碼： | 廣西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 采用 光學 法制 備鋁酸鍶 單晶體 工藝 | ||
【權利要求書】：
1.一種采用光學浮區法制備鋁酸鍶單晶體的工藝，其特征在于，包括以下步驟：
步驟1)配料：根據化合反應方程式SrCO3+Al2O3→SrAl2O4+CO2將純度≥99.8％的原料SrCO3、Al2O3按比例使用電子天平精準稱量后置于燒杯中；
步驟2)攪拌：在步驟1)稱重后的原料燒杯中加入無水乙醇，按照SrCO3、Al2O3總質量：無水乙醇質量比＝1：5，放入磁力轉子并將燒杯置于磁力攪拌器上攪拌24小時使原料充分混合均勻；
步驟3)烘干：將按照上述步驟攪拌結束的樣品燒杯置于85℃烘干箱中烘干24小時，至無水乙醇完全揮發；
步驟4)前驅料棒制備：將烘干后的樣品粉末置于圓柱形模具中，并由等靜壓機40～60MPa高壓下壓致成型；
步驟5)燒結：將制備好的前驅料棒置于高溫爐中1350攝氏度下燒結24小時形成多晶陶瓷料棒；
步驟6)晶體生長：將多晶陶瓷料棒置于光學浮區爐中進行單晶體的生長，生長速度5mm/小時，生長時間6小時；
步驟7)退火處理：將生長出的單晶體置于1350攝氏度高溫爐中進行退火處理以消除殘余應力，進一步改善晶體質量。
2.根據權利要求1所述的一種采用光學浮區法制備鋁酸鍶單晶體的工藝，其特征在于：所述步驟6)中光學浮區爐的溫度為1500-2500℃。
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