[發明專利]光刻膠靈敏度的檢測方法及檢測系統

在審

• 申請號: 202111544762.4
• 申請日: 2021-12-16
• 公開（公告）號: CN114242609A
• 公開（公告）日: 2022-03-25
• 發明（設計）人: 程雷
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L21/027
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 任歡歡

本申請提供一種光刻膠靈敏度的檢測方法及檢測系統。該光刻膠靈敏度的檢測方法包括：量測待測光刻膠層的初始厚度值；基于預設透光率的掩模板對所述待測光刻膠層進行曝光、顯影；量測經所述顯影處理后所述待測光刻膠層的測試厚度值；基于所述初始厚度值和所述測試厚度值確定所述待測光刻膠層對應的待測光刻膠的靈敏度。該方法能夠對光刻膠的靈敏度進行檢測。

技術領域

本發明涉及半導體制造技術領域，尤其涉及一種光刻膠靈敏度的檢測方法及檢測系統。

背景技術

光刻膠被廣泛應用于顯示面板、集成電路和半導體分立器件等細微圖形加工領域。然而，在高端光刻膠替代過程中，無法對光刻膠的靈敏度進行檢測。

發明內容

本申請提供一種光刻膠靈敏度的檢測方法及檢測系統，旨在解決現有在高端光刻膠替代過程中，無法對光刻膠的靈敏度進行檢測的問題。

為解決上述技術問題，本申請采用的一個技術方案是：提供一種光刻膠靈敏度的檢測方法，該方法包括：量測待測光刻膠層的初始厚度值；基于預設透光率的掩模板對所述待測光刻膠層進行曝光、顯影；量測經所述顯影處理后所述待測光刻膠層的測試厚度值；基于所述初始厚度值和所述測試厚度值確定所述待測光刻膠層對應的待測光刻膠的靈敏度。

其中，基于所述初始厚度值和所述測試厚度值確定所述待測光刻膠層對應的待測光刻膠的靈敏度的步驟具體包括：基于所述初始厚度值和所述測試厚度值的差值確定所述待測光刻膠層對應的待測光刻膠的靈敏度，所述待測光刻膠的靈敏度＝(H₀-H₁)╳E₀；

其中，H₀為待測光刻膠層的初始厚度值；H₁為待測光刻膠層的測試厚度值；E₀為待測光刻膠的曝光閾值。

其中，所述掩模板整體都是非透光區。

其中，所述基于預設透光率的掩模板對所述待測光刻膠層進行曝光、顯影的步驟包括：制備預設透光率的掩模板；基于所述預設透光率的掩模板以預設曝光能量對所述待測光刻膠層進行曝光；對所述待測光刻膠層進行烘烤；基于預設程式對所述待測光刻膠層進行顯影。

其中，在量測待測光刻膠層的初始厚度值的步驟之前，還包括：提供待測光刻膠；在半導體襯底上涂敷所述待測光刻膠以形成所述待測光刻膠層。

其中，所述預設透光率為4％、8％或10％。

其中，所述掩模板包括層疊設置的相位移涂層、鉻層以及玻璃層；其中，所述相位移涂層的透光率為6％。

其中，所述相位移涂層、鉻層以及玻璃層大小相同。

為解決上述技術問題，本申請采用的另一個技術方案是：提供一種光刻膠靈敏度的檢測系統。該檢測系統包括：光刻裝置，用于基于預設透光率的掩模板對待測光刻膠層進行曝光、顯影處理；量測裝置，用于量測所述待測光刻膠層的初始厚度值，以及經所述顯影處理后所述待測光刻膠層的測試厚度值；靈敏度檢測裝置，用于基于所述初始厚度值和所述測試厚度值確定所述待測光刻膠層對應的待測光刻膠的靈敏度。

其中，所述靈敏度檢測裝置具體用于基于所述初始厚度值和所述測試厚度值的差值確定所述待測光刻膠層對應的待測光刻膠的靈敏度；其中，所述待測光刻膠的靈敏度＝(H₀-H₁)╳E₀；

其中，H₀為待測光刻膠層的初始厚度值；H₁為待測光刻膠層的測試厚度值；E₀為待測光刻膠的曝光閾值。