[發(fā)明專利]光刻膠靈敏度的檢測方法及檢測系統(tǒng)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202111544762.4
• 申請(qǐng)日: 2021-12-16
• 公開（公告）號(hào): CN114242609A
• 公開（公告）日: 2022-03-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 程雷
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66;H01L21/027
• 代理公司: 深圳市威世博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44280
• 代理人: 任歡歡

1.一種光刻膠靈敏度的檢測方法，其特征在于，包括：

量測待測光刻膠層的初始厚度值；

基于預(yù)設(shè)透光率的掩模板對(duì)所述待測光刻膠層進(jìn)行曝光、顯影；

量測經(jīng)所述顯影處理后所述待測光刻膠層的測試厚度值；

基于所述初始厚度值和所述測試厚度值確定所述待測光刻膠層對(duì)應(yīng)的待測光刻膠的靈敏度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻膠靈敏度的檢測方法，其特征在于，基于所述初始厚度值和所述測試厚度值確定所述待測光刻膠層對(duì)應(yīng)的待測光刻膠的靈敏度的步驟具體包括：

基于所述初始厚度值和所述測試厚度值的差值確定所述待測光刻膠層對(duì)應(yīng)的待測光刻膠的靈敏度，所述待測光刻膠的靈敏度＝(H₀-H₁)╳E₀；

其中，H₀為待測光刻膠層的初始厚度值；H₁為待測光刻膠層的測試厚度值；E₀為待測光刻膠的曝光閾值。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻膠靈敏度的檢測方法，其特征在于，所述掩模板整體都是非透光區(qū)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻膠靈敏度的檢測方法，其特征在于，所述基于預(yù)設(shè)透光率的掩模板對(duì)所述待測光刻膠層進(jìn)行曝光、顯影的步驟包括：

制備預(yù)設(shè)透光率的掩模板；

基于所述預(yù)設(shè)透光率的掩模板以預(yù)設(shè)曝光能量對(duì)所述待測光刻膠層進(jìn)行曝光；

對(duì)所述待測光刻膠層進(jìn)行烘烤；

基于預(yù)設(shè)程式對(duì)所述待測光刻膠層進(jìn)行顯影。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻膠靈敏度的檢測方法，其特征在于，在量測待測光刻膠層的初始厚度值的步驟之前，還包括：

提供待測光刻膠；

在半導(dǎo)體襯底上涂敷所述待測光刻膠以形成所述待測光刻膠層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻膠靈敏度的檢測方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)透光率為4％、8％或10％。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻膠靈敏度的檢測方法，其特征在于，所述掩模板包括層疊設(shè)置的相位移涂層、鉻層以及玻璃層；其中，所述相位移涂層的透光率為6％。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光刻膠靈敏度的檢測方法，其特征在于，所述相位移涂層、鉻層以及玻璃層大小相同。

9.一種光刻膠靈敏度的檢測系統(tǒng)，其特征在于，包括：

光刻裝置，用于基于預(yù)設(shè)透光率的掩模板對(duì)待測光刻膠層進(jìn)行曝光、顯影處理；

量測裝置，用于量測所述待測光刻膠層的初始厚度值，以及經(jīng)所述顯影處理后所述待測光刻膠層的測試厚度值；

靈敏度檢測裝置，用于基于所述初始厚度值和所述測試厚度值確定所述待測光刻膠層對(duì)應(yīng)的待測光刻膠的靈敏度。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光刻膠靈敏度的檢測系統(tǒng)，其特征在于，所述靈敏度檢測裝置具體用于基于所述初始厚度值和所述測試厚度值的差值確定所述待測光刻膠層對(duì)應(yīng)的待測光刻膠的靈敏度；其中，所述待測光刻膠的靈敏度＝(H₀-H₁)╳E₀；

其中，H₀為待測光刻膠層的初始厚度值；H₁為待測光刻膠層的測試厚度值；E₀為待測光刻膠的曝光閾值。