[發(fā)明專利]一種親水非晶碳膜及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202111544750.1 | 申請(qǐng)日: | 2021-12-16 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN114196937A | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-03-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 吳春春;楊挺;王濤;張?jiān)骑w | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心 |
| 主分類號(hào): | C23C16/26 | 分類號(hào): | C23C16/26;C23C16/56;C23C16/50;C23C14/06;C23C14/22;C23C14/34;C23C14/58 |
| 代理公司: | 合肥匯融專利代理有限公司 34141 | 代理人: | 張雁 |
| 地址: | 311200 浙江*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 親水非晶碳膜 及其 制備 方法 | ||
本發(fā)明提供一種親水非晶碳膜及其制備方法,涉及金屬涂層材料制備技術(shù)。所述親水非晶碳膜為含硅的類金剛石碳薄膜,且親水非晶碳膜的制備方法包括在非晶碳膜中摻雜硅原子,然后通過(guò)等離子氧或氧的離子束對(duì)薄膜進(jìn)行活化等步驟。本發(fā)明克服了現(xiàn)有技術(shù)的不足,所制得的薄膜具有優(yōu)異耐腐蝕性同時(shí)具有永久親水性,使涂層可應(yīng)用于三類醫(yī)療器械表面親水改性。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及金屬涂層材料制備技術(shù),具體涉及一種親水非晶碳膜及其制備方法。
背景技術(shù)
由于類金剛石(DLC)薄膜具有高硬度、潤(rùn)滑性、電阻和良好的耐磨性,表面光滑,并且可以在低溫下合成,因此它是一種用于各種工業(yè)領(lǐng)域的涂層材料。此外,DLC薄膜具有其表面的優(yōu)異化學(xué)穩(wěn)定性、優(yōu)異的生物相容性和對(duì)血液的相容性,當(dāng)其在體內(nèi)與細(xì)胞等接觸時(shí)不會(huì)引起副作用。
因此,已嘗試將其用作生物涂層,例如用于活體的插入或替換材料的表面層,這就要求涂層具有較好的親水性能,才能防止(血液等)液體在表面附著從而防止血栓的產(chǎn)生。
目前,類金剛石薄膜的親水性能較差,接觸角大都在60°左右,很難滿足第三類醫(yī)療器械的親水性要求。
有人用等離子體氧或者氮,對(duì)非晶碳膜進(jìn)行活化處理,碳膜表面的親水性得到改善,但其持續(xù)時(shí)間不長(zhǎng),24h后會(huì)恢復(fù)原有親水性,這種方法對(duì)于涂層的應(yīng)用帶來(lái)很大挑戰(zhàn)。
發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)不足,本發(fā)明提供一種親水非晶碳膜及其制備方法,通過(guò)在非晶碳膜中摻雜硅原子,然后通過(guò)等離子氧或氧的離子束對(duì)薄膜進(jìn)行活化。硅的摻雜提高了非晶碳膜的耐腐蝕性能,而氧原子活化使非晶碳膜形成永久親水性,使涂層可應(yīng)用于三類醫(yī)療器械表面親水改性。
為實(shí)現(xiàn)以上目的,本發(fā)明的技術(shù)方案通過(guò)以下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn):
一種親水非晶碳膜,所述親水非晶碳膜為含硅的類金剛石碳薄膜,其含有存在于薄膜表面上的碳原子和硅原子的化學(xué)鍵,且所述薄膜內(nèi)部和表面含有硅原子,該原子向所述薄膜表面提供親水性。
優(yōu)選的,所述所述薄膜中的硅含量范圍為1.0at.%至2.5at.%,如果硅含量過(guò)小,非晶碳膜的耐腐蝕性能較低,表面的親水性容易消失,而如果硅含量超過(guò)17at.%,薄膜中SiC團(tuán)簇的尺寸過(guò)大,則導(dǎo)致力學(xué)和化學(xué)特性惡化。
優(yōu)選的,所述薄膜表面粗糙度為10nm至20nm。
優(yōu)選的,所述薄膜表面Si-O鍵占比范圍為30%至60%。
所述親水非晶碳膜的制備方法包括以下步驟:
(1)薄膜的形成:使用基板將硅原子摻入類金剛石薄膜中,形成摻硅類金剛石薄膜備用;
(2)活化處理:采用等離子體或離子束對(duì)在上述薄膜表面進(jìn)行活化激活處理,產(chǎn)生存在于膜表面的碳原子和硅原子的化學(xué)鍵。
優(yōu)選的,所述步驟(1)中形成摻硅類金剛石薄膜的原料為苯氣體和硅烷混合。
優(yōu)選的,所述步驟(1)中摻硅類金剛石薄膜的制備方法為等離子體化學(xué)氣相沉積、等離子體合成、濺射合成、自濾波電弧合成或離子束沉積中的任意一種或其任何組合。
優(yōu)選的,所述步驟(2)中采用等離子體處理時(shí)腔室內(nèi)的壓力范圍為0.1Pa至10Pa,偏置電壓范圍為-100V至-800V。
優(yōu)選的,所述步驟(2)中采用離子束激活薄膜表面的時(shí),腔室內(nèi)的壓力為10-7Pa-10Pa,電壓為100V-50kV。
優(yōu)選的,所述步驟(2)中采用的等離子體、離子束分別為等離子氧和氧的離子束。
本發(fā)明提供一種親水非晶碳膜及其制備方法,與現(xiàn)有技術(shù)相比優(yōu)點(diǎn)在于:
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心,未經(jīng)浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202111544750.1/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過(guò)氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過(guò)浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無(wú)機(jī)材料為特征的
- 一種數(shù)據(jù)庫(kù)讀寫(xiě)分離的方法和裝置
- 一種手機(jī)動(dòng)漫人物及背景創(chuàng)作方法
- 一種通訊綜合測(cè)試終端的測(cè)試方法
- 一種服裝用人體測(cè)量基準(zhǔn)點(diǎn)的獲取方法
- 系統(tǒng)升級(jí)方法及裝置
- 用于虛擬和接口方法調(diào)用的裝置和方法
- 線程狀態(tài)監(jiān)控方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)
- 一種JAVA智能卡及其虛擬機(jī)組件優(yōu)化方法
- 檢測(cè)程序中方法耗時(shí)的方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)
- 函數(shù)的執(zhí)行方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)





