[發(fā)明專(zhuān)利]一種親水非晶碳膜及其制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202111544750.1
• 申請(qǐng)日: 2021-12-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114196937A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-03-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳春春;楊挺;王濤;張?jiān)骑w
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心
• 主分類(lèi)號(hào): C23C16/26
• 分類(lèi)號(hào): C23C16/26;C23C16/56;C23C16/50;C23C14/06;C23C14/22;C23C14/34;C23C14/58
• 代理公司: 合肥匯融專(zhuān)利代理有限公司 34141
• 代理人: 張雁

1.一種親水非晶碳膜，其特征在于，所述親水非晶碳膜為含硅的類(lèi)金剛石碳薄膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種親水非晶碳膜，其特征在于：所述所述薄膜中的硅含量范圍為1.0at.％至2.5at.％。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種親水非晶碳膜，其特征在于：所述薄膜表面粗糙度為10nm至20nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種親水非晶碳膜，其特征在于：所述薄膜表面Si-O鍵占比范圍為30％至60％。

5.一種親水非晶碳膜的制備方法，其特征在于：所述親水非晶碳膜的制備方法包括以下步驟：

(1)薄膜的形成：使用基板將硅原子摻入類(lèi)金剛石薄膜中，形成摻硅類(lèi)金剛石薄膜備用；

(2)活化處理：采用等離子體或離子束對(duì)在上述薄膜表面進(jìn)行活化激活處理，產(chǎn)生存在于膜表面的碳原子和硅原子的化學(xué)鍵。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種親水非晶碳膜的制備方法，其特征在于：所述步驟(1)中形成摻硅類(lèi)金剛石薄膜的原料為苯氣體和硅烷混合。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種親水非晶碳膜的制備方法，其特征在于：所述步驟(1)中摻硅類(lèi)金剛石薄膜的制備方法為等離子體化學(xué)氣相沉積、等離子體合成、濺射合成、自濾波電弧合成或離子束沉積中的任意一種或其任何組合。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種親水非晶碳膜的制備方法，其特征在于：所述步驟(2)中采用等離子體處理時(shí)腔室內(nèi)的壓力范圍為0.1Pa至10Pa，偏置電壓范圍為-100V至-800V。

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種親水非晶碳膜的制備方法，其特征在于：所述步驟(2)中采用離子束激活薄膜表面的時(shí)，腔室內(nèi)的壓力為10^-7Pa-10Pa，電壓為100V-50kV。

10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種親水非晶碳膜的制備方法，其特征在于：所述步驟(2)中采用的等離子體、離子束分別為等離子氧和氧的離子束。