[發(fā)明專利]一種器件的制造方法及承載板在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202111544524.3 | 申請日: | 2021-12-16 |
| 公開(公告)號: | CN114203623A | 公開(公告)日: | 2022-03-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李衛(wèi)東;李新連;趙志國;趙東明;張赟;夏淵;秦校軍;熊繼光;梁思超 | 申請(專利權(quán))人: | 華能新能源股份有限公司;中國華能集團清潔能源技術(shù)研究院有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/687 | 分類號: | H01L21/687;H01L31/0224;H01L31/0463;H01L31/0465;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 柳虹 |
| 地址: | 100036 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 器件 制造 方法 承載 | ||
本申請?zhí)峁┮环N器件的制造方法及承載板,承載板可以包括框架和與框架連接的多個橫梁,框架用于承載待處理襯底,待處理襯底具有多個條狀的柵線區(qū)域以及柵線區(qū)域之間的非柵區(qū)域,柵線區(qū)域用于形成導(dǎo)電柵線,待處理襯底上形成有透明導(dǎo)電膜層,透明導(dǎo)電膜層上的非柵區(qū)域形成有有機涂層,在框架上承載有待處理襯底時,橫梁位于待處理襯底的下方,且覆蓋非柵區(qū)域中的部分區(qū)域,即覆蓋部分有機涂層,這樣在形成導(dǎo)電材料層時,導(dǎo)電材料層不會形成在橫梁覆蓋的區(qū)域,利用有機溶劑溶解有機涂層,可以去除有機涂層和有機涂層上的導(dǎo)電材料層,形成位于柵線區(qū)域的導(dǎo)電柵線,有機溶劑與未被導(dǎo)電材料層覆蓋的有機涂層接觸,脫模效率較高,提高柵線的制造效率。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請涉及能源技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種器件的制造方法及承載板。
背景技術(shù)
太陽能薄膜電池又稱為太陽能芯片或光電池,是一種利用太陽光直接發(fā)電的光電器件,常見的薄膜太陽能電池有碲化鎘(CdTe)、銅銦鎵硒(CIGS)、非晶硅(a-Si∶H)、砷化鎵(GaAs)和鈣鈦礦太陽能電池等。薄膜太陽能電池的基本結(jié)構(gòu)是通常由PN結(jié)半導(dǎo)體層及前后電極組成,一般地,太陽能電池包括第一電極、電子傳輸層、光吸收層、空穴傳輸層和第二電極,光吸收層在光照下可以產(chǎn)生電子空穴對,通過電子傳輸層可以傳輸電子至第一電極,通過空穴傳輸層可以傳輸空穴至第二電極,從而產(chǎn)生電流。電子傳輸層、光吸收層、空穴傳輸層等可稱為功能層。
特別的,受光側(cè)電極層通常采用透明導(dǎo)電氧化物薄膜材料(TCO),從該膜層的功能需求角度要求其同時具有高的透過性和高的導(dǎo)電性。該膜層一方面用于收集電荷并在面內(nèi)傳輸,因而要求該膜層具有盡量高的導(dǎo)電性;另一方面,受光側(cè)的電極膜還需要具有較高的透過率以便讓更多的光線進入吸收層從而激發(fā)光生載流子。但從技術(shù)層面講,透明導(dǎo)電膜層的導(dǎo)電性和透過性互相制約,無法同時獲得最大的導(dǎo)電性和最高的透過率。為了有效地收集載流子,可在透明導(dǎo)電薄膜表面制備金屬柵線,以提高載流子收集能力,同時可以最大程度降低TCO層的厚度,提高光線透過率。
通常可用光刻的方法在電池表面制備金屬柵線,以提高載流子收集能力,同時可以最大程度降低TCO層的厚度,提高光線透過率。
利用光刻法制備金屬柵線的工藝步驟如下:
a)采用印刷方式,將光刻膠均勻涂覆在電池芯片的表面。印刷完成后進行烘烤固化。
b)將有柵線形狀的掩膜版覆蓋在芯片表面,利用UV光透過掩膜版照射進行部分曝光。
c)在顯影溶液中進行顯影,洗去被曝光部分的光刻膠。
d)通過蒸發(fā)鍍膜方式,在經(jīng)過顯影的基板上鍍制一層金屬膜。
e)將基板浸入有機溶劑中,洗去光刻膠及其上的金屬膜,最后剩下具有柵線形狀的金屬線。
而在以上脫膜序中,膜層表面全部覆蓋金屬膜層,有機溶劑難以接觸光刻膠,導(dǎo)致脫膜效率低下。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本申請的目的在于提供一種器件的制造方法及承載板,用于提高柵線的形成效率。
為實現(xiàn)上述目的,本申請?zhí)峁┝艘环N承載板,包括:
框架,用于承載待處理襯底,所述待處理襯底具有多個條狀的柵線區(qū)域以及所述柵線區(qū)域之間的非柵區(qū)域,所述柵線區(qū)域用于形成導(dǎo)電柵線;
與所述框架連接的多個橫梁;在所述框架上承載有所述待處理襯底時,所述橫梁位于所述待處理襯底的下方,且覆蓋所述非柵區(qū)域中的部分區(qū)域,以阻止所述導(dǎo)電柵線的材料形成于所述橫梁覆蓋的區(qū)域。
可選的,多個所述柵線區(qū)域平行設(shè)置,多個所述橫梁平行設(shè)置。
可選的,所述導(dǎo)電柵線的寬度范圍為5~50μm,相鄰的所述柵線區(qū)域之間的間距范圍為0.5~5mm,所述橫梁的寬度小于相鄰的所述柵線區(qū)域之間的間距。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





