[發明專利]單面異質結電池及其制作方法

在審

• 申請號: 202111544247.6
• 申請日: 2021-12-16
• 公開（公告）號: CN114335227A
• 公開（公告）日: 2022-04-12
• 發明（設計）人: 劉泉;祁嘉銘;楊江海;楊健
• 申請（專利權）人: 東莞南玻光伏科技有限公司;中國南玻集團股份有限公司
• 主分類號: H01L31/0747
• 分類號: H01L31/0747;H01L31/0224;H01L31/20
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205
• 代理人: 鐘平

本申請公開了一種單面異質結電池及其制作方法。單面異質結電池包括：硅片基體、第一非晶硅膜、第二非晶硅膜、第一導電層、第二導電層、鈍化層和背場層，第一非晶硅膜設置于硅片基體的受光面；第二非晶硅膜設置于硅片基體的背光面；第一導電層設置于第一非晶硅膜的上側；第二導電層設置于第二非晶硅膜的下側；鈍化層設置于第二導電層的下側；背場層設置于鈍化層的下側；其中，第二導電層的厚度小于第一導電層的厚度。在硅片基體的背光面設置背場層，利用背場層較佳的導電能力減少制備導電層所需的昂貴靶材的用量，使背光面側的第二導電層的厚度小于受光面側的第一導電層的厚度，從而降低電池生產成本。

技術領域

本申請涉及太陽能電池技術領域，尤其是涉及一種單面異質結電池及其制作方法。

背景技術

異質結電池在電池轉換效率、多結電池、工藝步驟、溫度系數、雙面率等方面都具有比常規晶體硅電池無可比擬的優勢，因此被認為是最熱門的下一代電池之一。相關技術中，異質結電池因為其制作導電層的靶材中含有眾多貴金屬而存在生產成本高昂的問題。

發明內容

本申請旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一。為此，本申請提出一種單面異質結電池，通過在硅片基體背光面設置背場層，能夠減少制備電池導電層的靶材用量，從而降低電池生產成本。

本申請還提出一種單面異質結電池的制作方法。

根據本申請的第一方面實施例的單面異質結電池，包括：硅片基體；第一非晶硅膜，所述第一非晶硅膜設置于所述硅片基體的受光面；第二非晶硅膜，所述第二非晶硅膜設置于所述硅片基體的背光面；第一導電層，所述第一導電層設置于所述第一非晶硅膜的上側；第二導電層，所述第二導電層設置于所述第二非晶硅膜的下側；鈍化層，所述鈍化層設置于所述第二導電層的下側；背場層，所述背場層設置于所述鈍化層的下側；其中，所述第二導電層的厚度小于所述第一導電層的厚度。

根據本申請實施例的單面異質結電池，至少具有如下有益效果：基于傳統的異質結電池結構，在硅片基體的背光面設置背場層，利用背場層較佳的導電能力減少制備導電層所需的昂貴靶材的用量，使背光面側的第二導電層的厚度小于受光面側的第一導電層的厚度，從而降低電池生產成本。

根據本申請的一些實施例，還包括正面電極和背面電極，所述正面電極設置于所述第一導電層的上側，所述背面電極設置于所述背場層的下側。

根據本申請的一些實施例，所述正面電極包括柵線，所述柵線用于傳輸光生電流。

根據本申請的一些實施例，所述第一導電層的厚度為60納米至120納米，所述第二導電層的厚度為10納米至60納米，所述第二導電層的厚度不大于所述第一導電層的厚度的一半。

根據本申請的一些實施例，所述第一非晶硅膜和所述第二非晶硅膜的厚度均為10納米至20納米，所述鈍化層的厚度為10納米至50納米，所述背場層的厚度為0.2微米至20微米。

根據本申請的第二方面實施例的單面異質結電池的制作方法，包括：提供硅片基體；在所述硅片基體的受光面、背光面分別沉積第一非晶硅膜、第二非晶硅膜；在所述第一非晶硅膜的上側沉積第一導電層；在所述第二非晶硅膜的下側依次沉積第二導電層和鈍化層；在所述鈍化層的下側蒸鍍背場層；其中，所述第二導電層的厚度小于所述第一導電層的厚度。

根據本申請的一些實施例，還包括：在所述第一導電層的上側制備正面電極；在所述背場層的下側制備背面電極。

根據本申請的一些實施例，所述正面電極和所述背面電極均為使用絲網印刷工藝制備的銀電極，所述正面電極包括柵線，所述柵線用于傳輸光生電流。

根據本申請的一些實施例，所述第一導電層為使用磁控濺射的方式沉積的一層厚度為60納米至120納米的TCO膜，所述第二導電層為使用磁控濺射的方式沉積的一層厚度為10納米至60納米的TCO膜，所述第二導電層的厚度不大于所述第一導電層的厚度的一半。