[發明專利]單面異質結電池及其制作方法

在審

• 申請號: 202111544247.6
• 申請日: 2021-12-16
• 公開（公告）號: CN114335227A
• 公開（公告）日: 2022-04-12
• 發明（設計）人: 劉泉;祁嘉銘;楊江海;楊健
• 申請（專利權）人: 東莞南玻光伏科技有限公司;中國南玻集團股份有限公司
• 主分類號: H01L31/0747
• 分類號: H01L31/0747;H01L31/0224;H01L31/20
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205
• 代理人: 鐘平

1.單面異質結電池，其特征在于，包括：

硅片基體；

第一非晶硅膜，所述第一非晶硅膜設置于所述硅片基體的受光面；

第二非晶硅膜，所述第二非晶硅膜設置于所述硅片基體的背光面；

第一導電層，所述第一導電層設置于所述第一非晶硅膜的上側；

第二導電層，所述第二導電層設置于所述第二非晶硅膜的下側；

鈍化層，所述鈍化層設置于所述第二導電層的下側；

背場層，所述背場層設置于所述鈍化層的下側；

其中，所述第二導電層的厚度小于所述第一導電層的厚度。

2.根據權利要求1所述的單面異質結電池，其特征在于，還包括正面電極和背面電極，所述正面電極設置于所述第一導電層的上側，所述背面電極設置于所述背場層的下側。

3.根據權利要求2所述的單面異質結電池，其特征在于，所述正面電極包括柵線，所述柵線用于傳輸光生電流。

4.根據權利要求1所述的單面異質結電池，其特征在于，所述第一導電層的厚度為60納米至120納米，所述第二導電層的厚度為10納米至60納米，所述第二導電層的厚度不大于所述第一導電層的厚度的一半。

5.根據權利要求1所述的單面異質結電池，其特征在于，所述第一非晶硅膜和所述第二非晶硅膜的厚度均為10納米至20納米，所述鈍化層的厚度為10納米至50納米，所述背場層的厚度為0.2微米至20微米。

6.單面異質結電池的制作方法，其特征在于，包括：

提供硅片基體；

在所述硅片基體的受光面、背光面分別沉積第一非晶硅膜、第二非晶硅膜；

在所述第一非晶硅膜的上側沉積第一導電層；

在所述第二非晶硅膜的下側依次沉積第二導電層和鈍化層；

在所述鈍化層的下側蒸鍍背場層；

其中，所述第二導電層的厚度小于所述第一導電層的厚度。

7.根據權利要求6所述的單面異質結電池的制作方法，其特征在于，還包括：

在所述第一導電層的上側制備正面電極；

在所述背場層的下側制備背面電極。

8.根據權利要求7所述的單面異質結電池的制作方法，其特征在于，所述正面電極和所述背面電極均為使用絲網印刷工藝制備的銀電極，所述正面電極包括柵線，所述柵線用于傳輸光生電流。

9.根據權利要求6所述的單面異質結電池的制作方法，其特征在于，所述第一導電層為使用磁控濺射的方式沉積的一層厚度為60納米至120納米的TCO膜，所述第二導電層為使用磁控濺射的方式沉積的一層厚度為10納米至60納米的TCO膜，所述第二導電層的厚度不大于所述第一導電層的厚度的一半。

10.根據權利要求6所述的單面異質結電池的制作方法，其特征在于，所述第一非晶硅膜和所述第二非晶硅膜均為使用化學氣相沉積的方式制備的一層厚度為10納米至20納米的本征非晶硅膜，所述鈍化層為使用磁控濺射的方式沉積的一層厚度為10納米至50納米的二氧化硅膜，所述背場層為使用真空蒸鍍的方式沉積的一層厚度為0.2微米至20微米的金屬膜。