[發明專利]薄膜電路側面圖形化方法、薄膜電路批量制備方法及系統

在審

• 申請號: 202111539267.4
• 申請日: 2021-12-15
• 公開（公告）號: CN114220737A
• 公開（公告）日: 2022-03-22
• 發明（設計）人: 楊俊鋒;劉宇鵬;丁明建;郭洽豐;馮毅龍;羅育紅
• 申請（專利權）人: 廣州天極電子科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/3213
• 分類號: H01L21/3213;H01L21/768
• 代理公司: 北京高沃律師事務所 11569
• 代理人: 趙興華

1.一種薄膜電路側面圖形化方法，其特征在于，所述薄膜電路側面圖形化方法，包括：

在激光誘導母體板上涂覆納米金屬顆粒-有機物涂層，并對納米金屬顆粒-有機物涂層進行風干處理；

將激光誘導母體中涂覆有風干后的納米金屬顆粒-有機物涂層得一面緊貼基板側面；

利用激光按照預設側面電路圖形照射貼有激光誘導母體板的基板側面，使得激光照射處納米金屬顆粒-有機物涂層中的納米金屬顆粒固化在基板側面上，形成側面電路圖形；

移除激光照射后的激光誘導母體板。

2.根據權利要求1所述的薄膜電路側面圖形化方法，其特征在于，在激光誘導母體板上涂覆納米金屬顆粒-有機物涂層，并對納米金屬顆粒-有機物涂層進行風干處理之前，還包括：

在激光誘導母體板上涂覆金屬涂層，并對金屬涂層進行風干處理。

3.根據權利要求2所述的薄膜電路側面圖形化方法，其特征在于，所述金屬涂層為鉬或鉻。

4.根據權利要求1所述的薄膜電路側面圖形化方法，其特征在于，所述激光誘導母體板為聚對苯二甲酸類塑料板。

5.根據權利要求1所述的薄膜電路側面圖形化方法，其特征在于，所述納米金屬顆粒-有機物涂層中的金屬為銀或銅。

6.根據權利要求1所述的薄膜電路側面圖形化方法，其特征在于，所述納米金屬顆粒-有機物涂層中的有機物為聚乙烯醇、聚乙烯醇縮丁醛酯或聚氯乙烯中的一種。

7.一種薄膜電路批量制備方法，其特征在于，所述薄膜電路批量制備方法，包括：

按照預設正面電路圖形，利用金屬薄膜沉積、光刻和蝕刻技術在基板上表面制備正面電路圖形陣列；

按照預設背面電路圖形，利用金屬薄膜沉積、光刻和蝕刻技術在基板下表面制備背面電路圖形陣列；所述背面電路圖形陣列中的多個背面電路圖形的位置與所述正面電路圖形陣列中的多個正面電路圖形一一對應；

按照正面電路圖形陣列的行數對制備有正面電路圖形陣列和背面電路圖形陣列的基板進行切割處理，得到多個子基板；

確定任一子基板為當前子基板；

利用如權利要求1-6任一項所述的薄膜電路側面圖形化方法，在所述當前子基板的切割側面上同時制備多個側面電路圖形；多個所述處理側面電路圖形的位置與所述當前子基板上表面的多個正面電路圖形的位置一一對應；所述切割側面為按照正面電路圖形陣列的行對制備有正面電路圖形陣列和背面電路圖形陣列的基板進行切割處理形成的切割面；

按照正面電路圖形陣列的列數對制備有多個側面電路圖形的當前子基板進行切割處理，得到多個薄膜電路。

8.一種薄膜電路批量制備系統，其特征在于，所述薄膜電路批量制備系統，包括：

正面電路圖形陣列制備模塊，用于按照預設正面電路圖形，利用金屬薄膜沉積、光刻和蝕刻技術在基板上表面制備正面電路圖形陣列；

背面電路圖形陣列制備模塊，用于按照預設背面電路圖形，利用金屬薄膜沉積、光刻和蝕刻技術在基板下表面制備背面電路圖形陣列；所述背面電路圖形陣列中的多個背面電路圖形的位置與所述正面電路圖形陣列中的多個正面電路圖形一一對應；

第一切割模塊，用于按照正面電路圖形陣列的行數對制備有正面電路圖形陣列和背面電路圖形陣列的基板進行切割處理，得到多個子基板；

當前子基板確定模塊，用于確定任一子基板為當前子基板；

側面電路圖形陣列制備模塊，用于利用如權利要求1-6任一項所述的薄膜電路側面圖形化方法，在所述當前子基板的切割側面上同時制備多個側面電路圖形；多個所述處理側面電路圖形的位置與所述當前子基板上表面的多個正面電路圖形的位置一一對應；所述切割側面為按照正面電路圖形陣列的行對制備有正面電路圖形陣列和背面電路圖形陣列的基板進行切割處理形成的切割面；

第二切割模塊，用于按照正面電路圖形陣列的列數對制備有多個側面電路圖形的當前子基板進行切割處理，得到多個薄膜電路。