[發明專利]一種電流源在審
| 申請號: | 202111536702.8 | 申請日: | 2021-12-14 |
| 公開(公告)號: | CN114384961A | 公開(公告)日: | 2022-04-22 |
| 發明(設計)人: | 劉吉平;趙磊;王翔 | 申請(專利權)人: | 深圳市航順芯片技術研發有限公司 |
| 主分類號: | G05F1/567 | 分類號: | G05F1/567 |
| 代理公司: | 深圳市嘉勤知識產權代理有限公司 44651 | 代理人: | 辛鴻飛 |
| 地址: | 518116 廣東省深圳市龍崗區平湖街*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 電流 | ||
本申請公開了一種電流源,屬于電流輸出技術領域,其包括基準電壓模塊、零溫漂電流產生模塊和校準模塊,其中,基準電壓模塊,配置為對供電端輸入的供電電壓進行濾波處理后,基于濾波處理后的供電電壓向零溫漂電流產生模塊生成基準電壓,以使零溫漂電流產生模塊工作在零溫漂電流區;零溫漂電流產生模塊,配置為在基準電壓模塊生成的基準電壓下,工作在零溫漂電流區,并向校準模塊輸出零溫漂電流;校準模塊,配置為對零溫漂電流進行工藝角校準,以輸出目標電流。本申請的電流源的電路設計簡單、可有效減少整體結構的面積,及降低工藝角帶來的偏差。
技術領域
本申請涉及電流輸出技術領域,具體涉及一種電流源。
背景技術
在任何系統電路中都需要電流源來提供偏置,而在高精度電路中需要高精度的電流源,即要保證在電源電壓、溫度變化以及工藝偏差下電流源最終輸出的電流保持恒定,這樣保證了電路的性能。而傳統電流源的電路結構比較復雜、整體結構的面積較大、存在20%左右的較大工藝角偏差。
發明內容
本申請實施例提供一種電流源,以解決現有電流源的電路結構復雜、面積較大、存在較大的工藝角偏差的技術問題。
第一方面,本申請提供一種電流源,包括基準電壓模塊、零溫漂電流產生模塊和校準模塊,其中,
所述基準電壓模塊,配置為對供電端輸入的供電電壓進行濾波處理后,基于濾波處理后的供電電壓向所述零溫漂電流產生模塊生成基準電壓,以使所述零溫漂電流產生模塊工作在零溫漂電流區;
所述零溫漂電流產生模塊,配置為在所述基準電壓模塊生成的基準電壓下,工作在零溫漂電流區,并向所述校準模塊輸出零溫漂電流;
所述校準模塊,配置為對所述零溫漂電流進行工藝角校準,以輸出目標電流。
可選地,所述基準電壓模塊包括濾波處理單元、基準電壓生成單元與工藝角補償單元,其中,
所述濾波處理單元,配置為對供電端輸入的供電電壓進行濾波處理;
所述基準電壓生成單元,配置為基于濾波處理后的供電電壓生成預基準電壓;
所述工藝角補償單元,配置為對所述預基準電壓進行工藝角補償,以得到所述基準電壓。
可選地,所述基準電壓生成單元包括第一MOS管和第二MOS管,所述第一MOS管的柵極及所述第二MOS管的源極均接地,所述第一MOS管的源極與所述第二MOS管的漏極電性連接,所述第一MOS管的漏極與供電端電性連接,所述第二MOS管的柵極與所述第二MOS管的漏極短接,且所述第二MOS管的柵極與所述工藝角補償單元電性連接。
可選地,所述濾波處理單元包括第三MOS管和第四MOS管,所述第三MOS管的柵極及所述第四MOS管的柵極均與所述第一MOS管的漏極電性連接,所述第三MOS管的漏極與源極、以及所述第四MOS管的漏極與源極均接地。
可選地,所述工藝角補償單元為根據已知工藝角補償系數設置的運放補償電路。
可選地,所述零溫漂電流產生模塊包括第五MOS管,所述第五MOS管的柵極與所述基準電壓模塊電性連接,所述第五MOS管的漏極與所述校準模塊電性連接,所述第五MOS管的源極接地。
可選地,所述校準模塊包括電流鏡構建單元和電流鏡輸出單元,其中,
所述電流鏡構建單元,配置為將所述零溫漂電流產生模塊輸出的零溫漂電流鏡像到所述電流鏡輸出單元,以與所述電流鏡輸出單元搭建電流鏡;
所述電流鏡輸出單元,包括多個電流鏡輸出模組,配置為通過所述電流鏡鏡像過來的零溫漂電流來使得每一所述電流鏡輸出模組產生相應的基準電流,以及根據當前所述電流源的輸出電流調整每一所述電流鏡輸出模組的工作狀態,以輸出所述目標電流。
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