[發明專利]一種電流源

在審

• 申請號: 202111536702.8
• 申請日: 2021-12-14
• 公開（公告）號: CN114384961A
• 公開（公告）日: 2022-04-22
• 發明（設計）人: 劉吉平;趙磊;王翔
• 申請（專利權）人: 深圳市航順芯片技術研發有限公司
• 主分類號: G05F1/567
• 分類號: G05F1/567
• 代理公司: 深圳市嘉勤知識產權代理有限公司 44651
• 代理人: 辛鴻飛

1.一種電流源，其特征在于，包括基準電壓模塊、零溫漂電流產生模塊和校準模塊，其中，

所述基準電壓模塊，配置為對供電端輸入的供電電壓進行濾波處理后，基于濾波處理后的供電電壓向所述零溫漂電流產生模塊生成基準電壓，以使所述零溫漂電流產生模塊工作在零溫漂電流區；

所述零溫漂電流產生模塊，配置為在所述基準電壓模塊生成的基準電壓下，工作在零溫漂電流區，并向所述校準模塊輸出零溫漂電流；

所述校準模塊，配置為對所述零溫漂電流進行工藝角校準，以輸出目標電流。

2.根據權利要求1所述的電流源，其特征在于，所述基準電壓模塊包括濾波處理單元、基準電壓生成單元和工藝角補償單元，其中，

所述濾波處理單元，配置為對供電端輸入的供電電壓進行濾波處理；

所述基準電壓生成單元，配置為基于濾波處理后的供電電壓生成預基準電壓；

所述工藝角補償單元，配置為對所述預基準電壓進行工藝角補償，以得到所述基準電壓。

3.根據權利要求2所述的電流源，其特征在于，所述基準電壓生成單元包括第一MOS管和第二MOS管，所述第一MOS管的柵極及所述第二MOS管的源極均接地，所述第一MOS管的源極與所述第二MOS管的漏極電性連接，所述第一MOS管的漏極與供電端電性連接，所述第二MOS管的柵極與所述第二MOS管的漏極短接，且所述第二MOS管的柵極與所述工藝角補償單元電性連接。

4.根據權利要求3所述的電流源，其特征在于，所述濾波處理單元包括第三MOS管和第四MOS管，所述第三MOS管的柵極及所述第四MOS管的柵極均與所述第一MOS管的漏極電性連接，所述第三MOS管的漏極與源極、以及所述第四MOS管的漏極與源極均接地。

5.根據權利要求3所述的電流源，其特征在于，所述工藝角補償單元為根據已知工藝角補償系數設置的運放補償電路。

6.根據權利要求1所述的電流源，其特征在于，所述零溫漂電流產生模塊包括第五MOS管，所述第五MOS管的柵極與所述基準電壓模塊電性連接，所述第五MOS管的漏極與所述校準模塊電性連接，所述第五MOS管的源極接地。

7.根據權利要求1所述的電流源，其特征在于，所述校準模塊包括電流鏡構建單元和電流鏡輸出單元，其中，

所述電流鏡構建單元，配置為將所述零溫漂電流產生模塊輸出的零溫漂電流鏡像到所述電流鏡輸出單元，以與所述電流鏡輸出單元搭建電流鏡；

所述電流鏡輸出單元，包括多個電流鏡輸出模組，配置為通過所述電流鏡鏡像過來的零溫漂電流來使得每一所述電流鏡輸出模組產生相應的基準電流，以及根據當前所述電流源的輸出電流調整每一所述電流鏡輸出模組的工作狀態，以輸出所述目標電流。

8.根據權利要求7所述的電流源，其特征在于，所述電流鏡構建單元包括第六MOS管，所述第六MOS管的漏極與所述零溫漂電流產生模塊電性連接，所述第六MOS管的柵極與所述第六MOS管的漏極短接，所述第六MOS管的源極與供電端電性連接。

9.根據權利要求8所述的電流源，其特征在于，所述多個電流鏡輸出模組根據輸出的基準電流的大小依次排序，且當前所述電流鏡輸出模組輸出的基準電流為前一所述電流鏡輸出模組輸出的基準電流的N倍，N為大于1的整數。

10.根據權利要求8或9所述的電流源，其特征在于，所述電流鏡輸出單元還包括寄存器控制模組，所述寄存器控制模組包括多個寄存器輸出通道，配置為根據當前所述電流源的輸出電流控制每一所述寄存器輸出通道的輸出電平。

11.根據權利要求10所述的電流源，其特征在于，所述電流鏡輸出模組包括反相器、第七MOS管、第八MOS管和第九MOS管，所述反相器的輸入端與一所述寄存器輸出通道電性連接，所述反相器的輸出端與所述第七MOS管的柵極電性連接，所述第七MOS管的源極與所述第六MOS管的源極電性連接，所述第七MOS管的漏極分別與所述第八MOS管的源極及所述第九MOS管的柵極電性連接，所述第八MOS管的柵極與相應的寄存器輸出通道電性連接，所述第八MOS管的漏極與所述第六MOS管的漏極電性連接，所述第九MOS管的源極與所述第六MOS管的源極電性連接，所述第九MOS管的漏極與所述電流源的電流輸出端電性連接。