[發明專利]傳送板、用于制造傳送板的方法和基板處理裝置在審
| 申請號: | 202111535566.0 | 申請日: | 2021-12-15 |
| 公開(公告)號: | CN114678293A | 公開(公告)日: | 2022-06-28 |
| 發明(設計)人: | 方濟午;李宗根;李泰勛 | 申請(專利權)人: | 細美事有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 張凱 |
| 地址: | 韓國忠清南道天安*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 傳送 用于 制造 方法 處理 裝置 | ||
本發明涉及傳送板、用于制造傳送板的方法和基板處理裝置。公開了一種制造用于冷卻基板的冷卻板的方法,所述方法包括:通過使用管狀管制造冷卻劑管的操作;將所述冷卻劑管插入到限定板的鑄模中的操作;以及通過將熔融金屬注入到所述鑄模中來鑄造所述冷卻板的操作。
相關申請的交叉引用
本申請要求于2020年12月24日提交韓國專利局的第10-2020-0182768號韓國專利申請的優先權和權益,該專利申請的全部內容通過引用合并于此。
技術領域
本文中描述的本發明構思的實施方案涉及一種傳送板、用于制造傳送板的方法、以及基板處理裝置。
背景技術
執行各種工藝(例如清潔、沉積、照相、蝕刻和離子注入)來制造半導體器件。在這些工藝中,沉積工藝和施用工藝用作在基板上形成膜的工藝。通常,沉積工藝是通過在基板上沉積工藝氣體而在基板上形成膜的工藝,而施用工藝是通過將處理液施用到基板上而形成液膜的工藝。
用于烘烤基板的烘烤工藝在膜形成在基板上之前和之后執行。烘烤工藝是將基板在封閉空間中加熱至工藝溫度或更高的工藝。在膜形成在基板上之后執行的烘烤工藝中,將光刻膠膜加熱和揮發,使得將膜的厚度調整到預設厚度。
圖1A是示出了傳統冷卻板的視圖。
冷卻板在基板“W”與烘烤腔室中的基底板(base plate)1間隔開的情況下被傳送。冷卻板在其內部具有冷卻劑通道。
通常,冷卻板通過釬焊(brazing)或壓裝(press-fitting)制造。如圖1A所示,在釬焊中,通過開槽在鋁金屬板中形成通道,并將相同材料的另一塊板結合至該鋁金屬板。然而,釬焊冷卻板在通道的內部被氧化和腐蝕,這導致通道被異物(例如氧化鋁)阻塞。
如圖1B所示,在壓裝中,在鋁金屬板被開槽之后,將其與異種金屬(例如,SUS)的通道管壓裝。壓裝顯示出優異的抗氧化特性和抗腐蝕特性,但降低了冷卻性能并且陽極氧化是不可能的。
發明內容
本發明構思的實施方案提供了一種傳送板、用于制造傳送單元的方法、以及基板處理裝置,所述傳送板具有異種材料結構(dissimilar material structure),所述異種材料結構具有流體流動所通過的管狀通道。
本發明構思的實施方案還提供了一種用于制造板的方法,其工藝簡單。
本發明構思的實施方案還提供了一種傳送板、用于制造傳送單元的方法、以及基板處理裝置,所述傳送板可以使用不銹鋼材料的冷卻劑管(coolant pipe)。
本發明構思的實施方案還提供了一種傳送板、用于制造傳送單元的方法、以及基板處理裝置,在所述傳送板中,構成傳送板主體的構件與不銹鋼材料的冷卻劑管之間的界面可以極好地彼此結合。
本發明構思要解決的問題不限于上述問題,并且本發明構思所屬領域的技術人員將從說明書和附圖清楚地理解未提及的問題。
根據一實施方案,用于制造用于冷卻基板的冷卻板的方法包括:通過使用管狀管來制造冷卻劑管的操作;將冷卻劑管插入到限定冷卻板的鑄模中的操作;以及通過將熔融金屬注入到鑄模中來鑄造冷卻板的操作。
此外,冷卻劑管的制造可以包括:在冷卻板的鑄造中對管狀管的外周表面進行表面處理以在界面之間形成金屬間化合物。
此外,管狀管的外周表面的表面處理為Zn鍍、Ni鍍和Ni-P鍍中的任一種。
此外,冷卻劑管的制造可以包括:與要被限定在冷卻板中的冷卻通道的形狀相對應地彎曲管狀管。
此外,管狀管和熔融金屬的材料可以是不同的材料。
此外,管狀管可以由不銹鋼材料形成,并且熔融金屬可以由鋁或鋁合金材料形成。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





