[發(fā)明專利]傳送板、用于制造傳送板的方法和基板處理裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202111535566.0 | 申請日: | 2021-12-15 |
| 公開(公告)號: | CN114678293A | 公開(公告)日: | 2022-06-28 |
| 發(fā)明(設計)人: | 方濟午;李宗根;李泰勛 | 申請(專利權)人: | 細美事有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 張凱 |
| 地址: | 韓國忠清南道天安*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 傳送 用于 制造 方法 處理 裝置 | ||
1.一種用于制造冷卻板的方法,所述冷卻板用于冷卻基板,所述方法包括:
通過使用管狀管來制造冷卻劑管;
將所述冷卻劑管插入到限定所述冷卻板的鑄模中;以及
通過將熔融金屬注入到所述鑄模中來鑄造所述冷卻板。
2.根據(jù)權利要求1所述的方法,其中,所述冷卻劑管的所述制造包括:
在所述冷卻板的所述鑄造中,對所述管狀管的外周表面進行表面處理,以在界面之間形成金屬間化合物。
3.根據(jù)權利要求2所述的方法,其中,所述管狀管的所述外周表面的所述表面處理為Zn鍍、Ni鍍和Ni-P鍍中的任一種。
4.根據(jù)權利要求2所述的方法,其中,所述冷卻劑管的所述制造包括:
與要被限定在所述冷卻板中的冷卻通道的形狀相對應地彎曲所述管狀管。
5.根據(jù)權利要求1所述的方法,其中,所述管狀管和所述熔融金屬的材料是不同的材料。
6.根據(jù)權利要求5所述的方法,其中,所述管狀管由不銹鋼材料形成,并且
其中,所述熔融金屬由鋁或鋁合金材料形成。
7.根據(jù)權利要求1所述的方法,其中,所述冷卻板的所述鑄造是嵌件壓鑄(IDC)。
8.根據(jù)權利要求7所述的方法,所述方法還包括:
在所述冷卻板的所述鑄造之后,通過陽極氧化對所述冷卻板進行表面處理。
9.一種用于冷卻基板的冷卻板,所述冷卻板通過插入彎曲成冷卻通道形狀的冷卻劑管而整體鑄造,并且其中,所述冷卻劑管的材料與鑄造材料不同。
10.根據(jù)權利要求9所述的冷卻板,其中,所述冷卻劑管的材料是不銹鋼材料,并且
其中,所述鑄造材料是鋁或鋁合金。
11.根據(jù)權利要求10所述的冷卻板,其中,所述冷卻劑管在其外周表面上具有鍍膜。
12.根據(jù)權利要求11所述的冷卻板,其中,所述鍍膜由Zn、Ni和Ni-P中的任一種形成。
13.根據(jù)權利要求10所述的冷卻板,其中,用于冷卻所述基板的所述冷卻板包括從其外表面延伸到內(nèi)側的引導孔。
14.一種基板處理裝置,其包括:
殼體;
加熱單元,所述加熱單元位于所述殼體中、并且具有配置為加熱基板的加熱板;
傳送單元,所述傳送單元位于所述殼體中、并且具有配置為傳送所述基板的傳送板;以及
冷卻單元,所述冷卻單元配置為冷卻所述加熱板或經(jīng)加熱的基板,
其中,所述基板處理裝置包括傳送板,
其中,所述冷卻單元包括設置在所述傳送板的內(nèi)部中的冷卻通道,并且
其中,所述傳送板是整體鑄件,提供所述冷卻通道的冷卻劑管通過鑄造進入所述整體鑄件。
15.根據(jù)權利要求14所述的基板處理裝置,其中,所述冷卻劑管的外周表面被表面處理。
16.根據(jù)權利要求15所述的基板處理裝置,其中,所述冷卻劑管的所述外周表面的所述表面處理是Zn鍍、Ni鍍和Ni-P鍍中的任一種。
17.根據(jù)權利要求14所述的基板處理裝置,其中,所述冷卻劑管和所述鑄件的材料是不同的材料。
18.根據(jù)權利要求17所述的基板處理裝置,其中,所述冷卻劑管由不銹鋼材料形成,并且
其中,所述鑄件的材料是鋁或鋁合金材料。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





