[發明專利]一種垂直區熔下降法制備鈦酸鑭晶體的方法在審
| 申請號： | 202111530746.X | 申請日： | 2021-12-14 |
| 公開（公告）號： | CN114182347A | 公開（公告）日： | 2022-03-15 |
| 發明（設計）人： | 金敏;李泉;袁海龍;王昂 | 申請（專利權）人： | 蘇州科睿浦光電科技有限公司 |
| 主分類號： | C30B29/32 | 分類號： | C30B29/32;C30B13/00;C30B13/16;C30B13/32;C30B13/28 |
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| 地址： | 215600 江蘇省蘇州市張家港市*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 垂直 下降 法制 備鈦酸鑭 晶體 方法 | ||
1.一種垂直區熔下降法制備鈦酸鑭晶體的方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)制備原料：將原料混合均勻，壓塊成型，得到混合物；
(2)將裝有步驟(1)所述混合物的坩堝置于真空晶體爐內；
(3)對真空晶體爐進行抽真空、升溫后，保溫8-12h后，調節坩堝高度，熔體出現晶體，降溫至室溫，即得所述鈦酸鑭晶體。
2.根據權利要求1所述制備鈦酸鑭晶體的方法，其特征在于，步驟(1)所述原料為TiO2、La2O3。
3.根據權利要求1所述制備鈦酸鑭晶體的方法，其特征在于，步驟(2)所真空晶體爐具有區域加熱功能。
4.根據權利要求1或3所述制備鈦酸鑭晶體的方法，其特征在于，步驟(2)所真空晶體爐中具有長棒狀發熱體。
5.根據權利要求4所述制備鈦酸鑭晶體的方法，其特征在于，步驟(2)所述發熱體長度為600-1600mm。
6.根據權利要求1所述制備鈦酸鑭晶體的方法，其特征在于，步驟(3)所述升溫包括一次升溫、二次升溫。
7.根據權利要求6所述制備鈦酸鑭晶體的方法，其特征在于，所述一次升溫的溫度為1500-1700℃。
8.根據權利要求6所述制備鈦酸鑭晶體的方法，其特征在于，所述二次升溫的溫度為1900-1950℃。
9.根據權利要求6或7所述制備鈦酸鑭晶體的方法，其特征在于，所述一次升溫后還包括充入惰性氣體。
10.根據權利要求1所述制備鈦酸鑭晶體的方法，其特征在于，步驟(3)所述晶體的生長溫度梯度為30-50℃/cm，坩堝高度的變化速度為0.5-2mm/h。
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