[發明專利]電子封裝件及其散熱結構

在審

• 申請號: 202111528310.7
• 申請日: 2021-12-14
• 公開（公告）號: CN114639643A
• 公開（公告）日: 2022-06-17
• 發明（設計）人: 鄭堅地;陳建佑;陳韋豪
• 申請（專利權）人: 雙鴻科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L23/373
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 聶慧荃;鄭特強

本發明提出一種電子封裝件及其散熱結構。該散熱結構具有多個結合柱，并于該多個結合柱上形成有金屬層，以利用該多個結合柱及金屬層，將該散熱結構穩固地設于電子元件上。

技術領域

本發明涉及一種散熱結構，尤其涉及一種用于半導體元件的散熱結構及其相關的電子封裝件。

背景技術

隨著電子產品在功能及處理速度的需求的提升，作為電子產品的核心組件的半導體晶片需具有更高密度的電子元件(Electronic Components)及電子電路(ElectronicCircuits)，故半導體晶片在運作時將隨之產生更大量的熱能。再者，由于傳統包覆該半導體晶片的封裝膠體為不良傳熱材質，以使熱量不易逸散，因而若不能有效逸散半導體晶片所產生的熱量，將會造成半導體晶片的損害與產品信賴性問題。

因此，為了迅速將熱能散逸至外部，業界通常在半導體封裝件中配置散熱片(HeatSink或Heat Spreader)，該散熱片通常借由散熱膠，如導熱界面材(Thermal InterfaceMaterial，簡稱TIM)，結合至晶片背面，以借散熱膠與散熱片逸散出半導體晶片所產生的熱量，再者，通常令散熱片的頂面外露出封裝膠體或直接外露于大氣中，以取得較佳的散熱效果。

如圖1所示，現有半導體封裝件1的制法先將一半導體晶片11以其作用面11a利用倒裝芯片接合方式(即通過導電凸塊110與底膠111)設于一封裝基板10上，再將一散熱片13以其頂片130借由TIM層12(其包含焊錫層與助焊劑)回焊結合于該半導體晶片11的非作用面11b上，且該散熱片13的支撐腳131通過粘著層14架設于該封裝基板10上。接著，進行封裝壓模作業，以供封裝膠體(圖略)包覆該半導體晶片11及散熱片13，并使該散熱片13的頂片130外露出封裝膠體。

于運作時，該半導體晶片11所產生的熱能經由該非作用面11b、TIM層12而傳導至該散熱片13的頂片130以散熱至該半導體封裝件1的外部。

然而，半導體封裝件1中，傳統散熱片13及TIM層12的導熱效果有限，已無法滿足高散熱功效的需求。

因此，如何克服上述然而技術的種種問題，實已成為目前業界亟待克服的難題。

發明內容

鑒于上述然而技術的種種缺陷，本發明的目的在于提供一種電子封裝件及其散熱結構，可提高散熱效果。

本發明的散熱結構，其包括：散熱件，其具有多個第一結合柱與多個第二結合柱；第一金屬層，其形成于該第一結合柱與該第二結合柱上；以及第二金屬層，其形成于該第一金屬層上。

前述的散熱結構中，該第一結合柱的高度低于該第二結合柱的高度。

前述的散熱結構中，該第二金屬層的厚度大于該第一金屬層的厚度。

前述的散熱結構中，該第一金屬層及/或該第二金屬層的直徑大于或等于該第一結合柱的直徑。

前述的散熱結構中，該第一金屬層及/或該第二金屬層的直徑大于或等于該第二結合柱的直徑。

前述的散熱結構中，該第一金屬層的材質為鎳。

前述的散熱結構中，該第二金屬層的材質為金。

前述的散熱結構中，該散熱件具有本體，以令該第一結合柱及第二結合柱立設于該本體上。

前述的散熱結構中，該散熱件內具有一腔體，以令工作流體于該腔體中流動。例如，該腔體中設置有毛細結構。或者，該腔體中設置有多個散熱鰭片。

本發明亦提供一種電子封裝件，包括：承載結構；電子元件，其設于該承載結構上且電性連接該承載結構；以及前述的散熱結構，其以該第二金屬層結合于該電子元件上。

前述的電子封裝件中，還包括一設于該電子元件上的結合層，以結合該第二金屬層。