[發明專利]晶圓支撐座及工藝腔體

在審

• 申請號: 202111528212.3
• 申請日: 2021-12-14
• 公開（公告）號: CN114203514A
• 公開（公告）日: 2022-03-18
• 發明（設計）人: 張賽謙
• 申請（專利權）人: 拓荊科技股份有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 上海恒銳佳知識產權代理事務所(普通合伙) 31286
• 代理人: 黃海霞

1.一種晶圓支撐座，其特征在于，包括：

一支撐盤，具有一電極及位于所述支撐盤底部的一第一連接部；

一軸，具有一頂端及位于所述頂端的一第二連接部，且所述第二連接部與所述第一連接部可拆卸地連接，使所述軸的頂端可拆卸地連接至所述支撐盤的底部；及

一絕緣介質片，被夾持于所述支撐盤的第一連接部和所述軸的第二連接部之間，藉此構成所述電極回路中的一電容。

2.根據權利要求1所述晶圓支撐座，其特征在于，所述第一連接部具有一朝下接觸面，所述第二連接部具有一朝上接觸面，且當所述支撐盤與所述軸連接時，所述絕緣介質片被夾持于所述朝下接觸面和所述朝上接觸面之間。

3.根據權利要求1或2所述晶圓支撐座，其特征在于，所述絕緣介質片以一第一方位或一第二方位被夾持于所述支撐盤的第一連接部和所述軸的第二連接部之間，其中所述第一方位使所述電容具有一第一電容值，所述第二方位使所述電容具有一第二電容值，所述第一電容值不同于所述第二電容值。

4.根據權利要求3所述晶圓支撐座，其特征在于，所述第一方位的絕緣介質片與所述朝下接觸面和所述朝上接觸面的重迭面積，不同于，所述第二方位的絕緣介質片與所述朝下接觸面和所述朝上接觸面的重迭面積。

5.根據權利要求1所述晶圓支撐座，其特征在于，所述絕緣介質片的形狀為圓形。

6.根據權利要求3所述晶圓支撐座，其特征在于，所述絕緣介質片的形狀為橢圓形。

7.根據權利要求1所述晶圓支撐座，更包括與所述絕緣介質片推迭在一起的另一絕緣介質片，且堆棧的所述二絕緣介質片被夾持于所述第一連接部和所述第二連接部之間以構成一電容，所述二絕緣介質片的形狀均為一放射狀，所述二絕緣介質片以一第一方位彼此迭加或以一第二方位彼此迭加，其特征在于，以所述第一方位迭加的兩個絕緣介質片的重迭面積不同于以所述第二方位迭加的兩個絕緣介質片的重迭面積，藉此以所述第一方位迭加而成的電容值不同于以所述第二方位迭加而成的電容值。

8.根據權利要求1所述晶圓支撐座，其特征在于，所述第一連接部具有一第一對螺紋孔，所述第二連接部具有一第二對螺紋孔，所述絕緣介質片具有一第一對孔和一第二對孔，一對螺絲經由所述第一對螺紋孔、所述第二對螺紋孔及所述第一對孔或所述第二對孔將所述第一連接部和所述第二連接部鎖固連接并使所述絕緣介質片夾持于所述第一連接部和所述第二連接部之間。

9.根據權利要求8所述晶圓支撐座，其特征在于，當所述對螺絲通過所述第一對孔時，代表所述絕緣介質片相較于所述第一連接部和所述第二連接部位于一第一方位；當所述對螺絲通過所述第二對孔時，代表所述絕緣介質片相較于所述第一連接部和所述第二連接部位于一第二方位，其中所述第一方位使所述電容具有一第一電容值，所述第二方位使所述電容具有一第二電容值，所述第一電容值不同于所述第二電容值。

10.根據權利要求1所述晶圓支撐座，其特征在于，所述電容具有一電容值，其介于1nF-3nF。

11.根據權利要求1所述晶圓支撐座，其特征在于，所述絕緣介質片的厚度為0.1mm-1.0mm。

12.根據權利要求1所述晶圓支撐座，其特征在于，所述絕緣介質片具有一橫截面面積，其介于5000mm2-10000mm2。

13.根據權利要求1所述晶圓支撐座，其特征在于，所述絕緣介質片選自陶瓷及聚四氟乙烯之其中一者。