[發(fā)明專(zhuān)利]晶圓支撐座及工藝腔體

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202111528212.3
• 申請(qǐng)日: 2021-12-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114203514A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-03-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張賽謙
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 拓荊科技股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01J37/32
• 分類(lèi)號(hào): H01J37/32
• 代理公司: 上海恒銳佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31286
• 代理人: 黃海霞

本發(fā)明揭露一種晶圓支撐座，包含：一支撐盤(pán)，具有一電極及位于所述支撐盤(pán)底部的一第一連接部；一軸，具有一頂端及位于所述頂端的一第二連接部，且所述第二連接部與所述第一連接部可拆卸地連接，使所述軸的頂端可拆卸地連接至所述支撐盤(pán)的底部；及一絕緣介質(zhì)片，被夾持于所述支撐盤(pán)的第一連接部和所述軸的第二連接部之間，藉此構(gòu)成所述電極回路中的一電容。此外，本發(fā)明還揭示了一種工藝腔體。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明關(guān)于一種半導(dǎo)體裝置，特別是一種晶圓支撐座與工藝腔體。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體制程中，等離子處理為沉積或蝕刻常用的手段。等離子處理相較一般熱處理有更多的優(yōu)勢(shì)，例如，等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)允許沉積可以在相對(duì)較低的溫度中實(shí)現(xiàn)以及獲得更高的沉積率。PECVD的當(dāng)前挑戰(zhàn)在于等離子體在腔體中的均勻性，以及沉積薄膜在晶圓中心和邊緣厚度的均勻性。

已知有多種習(xí)知技術(shù)提出改善等離子體于腔內(nèi)分部的手段。美國(guó)專(zhuān)利文獻(xiàn)公開(kāi)號(hào)US20200010957A1揭露一種從電極回路著手的改良手段，其包含將晶圓支撐盤(pán)中的下電極電連接至射頻調(diào)整電路，藉此調(diào)整下電極回路的接地阻抗，其中所述射頻調(diào)整電路包含傳感器、可變電容及電感等電子組件。如此配置的缺點(diǎn)在于需要于腔體額外連接所述射頻調(diào)整電路(通過(guò)可變電容改變阻抗)，且僅適合以陶瓷制造的晶圓支撐盤(pán)。由于射頻調(diào)整電路外接的緣故，較長(zhǎng)的電路回路相對(duì)累積一定的感性阻抗，影響射頻傳輸。再者，如此配置可能因回路組件的些微差異而難以復(fù)制于不同的站或腔體，但同時(shí)又要求這些站和腔體執(zhí)行相同工藝。

因此，有必要發(fā)展一種針對(duì)下電極的阻抗調(diào)節(jié)手段，特別是一種容易復(fù)制于多個(gè)腔體或站的下電極的阻抗調(diào)節(jié)手段，確保工藝一致性。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明目的在于提供一種晶圓支撐座及工藝腔體以對(duì)回路阻抗進(jìn)行調(diào)節(jié)。

本發(fā)明提供的晶圓支撐座包括：一支撐盤(pán)，具有一電極及位于所述支撐盤(pán)底部的一第一連接部；一軸，具有一頂端及位于所述頂端的一第二連接部，且所述第二連接部與所述第一連接部可拆卸地連接，使所述軸的頂端可拆卸地連接至所述支撐盤(pán)的底部；及一絕緣介質(zhì)片，被夾持于所述支撐盤(pán)的第一連接部和所述軸的第二連接部之間，藉此構(gòu)成所述電極回路中的一電容。

本發(fā)明提供的所述晶圓支撐座的有益效果在于：通過(guò)所述絕緣介質(zhì)片，被夾持于所述支撐盤(pán)的第一連接部和所述軸的第二連接部之間，藉此構(gòu)成所述電極回路中的一電容，以對(duì)回路阻抗進(jìn)行調(diào)節(jié)。

進(jìn)一步地，所述第一連接部具有一朝下接觸面，所述第二連接部具有一朝上接觸面，且當(dāng)所述支撐盤(pán)與所述軸連接時(shí)，所述絕緣介質(zhì)片被夾持于所述朝下接觸面和所述朝上接觸面之間。

進(jìn)一步地，所述絕緣介質(zhì)片以一第一方位或一第二方位被夾持于所述支撐盤(pán)的第一連接部和所述軸的第二連接部之間，其中所述第一方位使所述電容具有一第一電容值，所述第二方位使所述電容具有一第二電容值，所述第一電容值不同于所述第二電容值。

進(jìn)一步地，所述第一方位的絕緣介質(zhì)片與所述朝下接觸面和所述朝上接觸面的重迭面積，不同于，所述第二方位的絕緣介質(zhì)片與所述朝下接觸面和所述朝上接觸面的重迭面積。

進(jìn)一步地，所述絕緣介質(zhì)片的形狀為圓形。

進(jìn)一步地，所述絕緣介質(zhì)片的形狀為橢圓形。其有益效果在于通過(guò)調(diào)整不同形狀薄片，提高回路阻抗一致性，也容易保證站與站，腔與腔之間的回路阻抗和工藝的一致性。

進(jìn)一步地，所述晶圓支撐座還包含與所述絕緣介質(zhì)片推迭在一起的另一絕緣介質(zhì)片，且堆棧的所述二絕緣介質(zhì)片被夾持于所述第一連接部和所述第二連接部之間以構(gòu)成一電容，所述二絕緣介質(zhì)片的形狀均為一放射狀，所述二絕緣介質(zhì)片以一第一方位迭加或以一第二方位迭加，其中以所述第一方位迭加的兩個(gè)絕緣介質(zhì)片的重迭面積不同于以所述第二方位迭加的兩個(gè)絕緣介質(zhì)片的重迭面積，藉此以所述第一方位迭加而成的電容值不同于以所述第二方位迭加而成的電容值。