[發明專利]MWT電池激光打孔隱裂測試方法在審
| 申請號: | 202111523734.4 | 申請日: | 2021-12-14 |
| 公開(公告)號: | CN113921416A | 公開(公告)日: | 2022-01-11 |
| 發明(設計)人: | 逯好峰;吳仕梁;張鳳鳴;耿劉勇 | 申請(專利權)人: | 南京日托光伏新能源有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;H01L31/18;G01N21/95 |
| 代理公司: | 江蘇圣典律師事務所 32237 | 代理人: | 韓天宇 |
| 地址: | 211800 江蘇省南京市*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | mwt 電池 激光 打孔 測試 方法 | ||
本發明提供了一種MWT電池激光打孔隱裂測試方法,采用激光打孔、背面布線的技術消除背接觸電池上正面電極的主柵線,正面電極細柵線收集的電流通過孔洞中的導電漿料引到背面,然后對打孔邊緣處噴灑霧化水,通過強光照射打孔邊緣判斷是否存在隱裂。檢測后若存在隱裂則將成品送入廢品區,若不存在隱裂則將成品送入合格品區。本發明在激光打孔后能夠有效檢測出存在隱裂的廢品,防止殘次品產生使用隱患。
技術領域
本發明涉及MWT電池片生產技術領域,具體是一種MWT電池激光打孔隱裂測試方法。
背景技術
MWT電池生產過程中,會采用激光打孔工序對電池表面進行打孔,激光打孔過程中產生硅渣和打孔作用下,會產生肉眼無法直接判斷硅片是否出現隱裂,尤其是孔洞邊緣,若未發現隱裂繼續生產將導致批量不良品流入后道工序。
發明內容
本發明為了解決現有技術的問題,提供了一種MWT電池激光打孔隱裂測試方法,在激光打孔后能夠有效檢測出存在隱裂的廢品,防止殘次品產生使用隱患。
本發明采用激光打孔、背面布線的技術消除背接觸電池上正面電極的主柵線,正面電極細柵線收集的電流通過孔洞中的導電漿料引到背面,然后對打孔邊緣處噴灑霧化水,通過強光照射打孔邊緣判斷是否存在隱裂。檢測后若存在隱裂則將成品送入廢品區,若不存在隱裂則將成品送入合格品區。
所述的激光打孔、背面布線過程具體工藝如下:在背接觸電池正面利用高強度激光進行激光打孔處理,形成N*N個矩陣錐形孔洞,向孔洞中填充入導電漿料,導電漿料穿過孔洞與正面電極細柵線接觸。
所述的隱裂判斷過程具體包括以下步驟:
1)將激光打孔后的MWT電池取出,放置在測試平臺上,背面朝上;
2)使用霧化裝至對水進行霧化,通過噴頭將霧化水噴在背接觸電池背面;
3)利用強光依次照射每個孔洞,硅片正常情況下應為均勻收縮,若存在隱裂,隱裂出會有肉眼可見的不規則收縮。
本發明有益效果在于:在激光打孔后能夠有效檢測出存在隱裂的廢品,防止殘次品產生使用隱患。
附圖說明
為了更清楚地說明本發明實施例中的技術方案,下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其它的附圖。
圖1為MWT電池激光打孔示意圖。
圖2為噴霧狀態示意圖。
具體實施方式
下面將結合本發明實施例中的附圖,對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例,而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例,本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例,都屬于本發明保護的范圍。
本發明生產制備的MWT電池如圖1所示,基體1正面設置有N發射極2和SiNx減反膜3,SiNx減反膜3上分布有正銀柵線4,基體背面涂覆有鋁背場6。
本發明采用激光打孔、背面布線的技術消除背接觸電池上正面電極的主柵線,正面電極細柵線收集的電流通過孔洞中的導電漿料5引到背面,然后對打孔邊緣處噴灑霧化水,通過強光照射打孔邊緣判斷是否存在隱裂。
具體生產工藝如下:
1)在背接觸電池正面利用高強度激光進行激光打孔處理,形成N*N個矩陣錐形孔洞,向孔洞中填充入導電漿料,導電漿料穿過孔洞與正面電極細柵線接觸。
2)將激光打孔后的MWT電池取出,放置在測試平臺上,背面朝上;
3)使用霧化裝至對水進行霧化,通過噴頭將霧化水噴在背接觸電池背面,如圖2所示;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





