[發明專利]存儲器件及其制備方法

在審

• 申請號: 202111514469.3
• 申請日: 2021-12-10
• 公開（公告）號: CN114220813A
• 公開（公告）日: 2022-03-22
• 發明（設計）人: 劉子易;朱慧瓏
• 申請（專利權）人: 北京超弦存儲器研究院;中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L27/11
• 分類號: H01L27/11;H01L21/8244
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 王文思

1.一種存儲器件，包括：

襯底；

所述襯底上的存儲單元陣列，包括多個存儲單元，

其中，每個存儲單元包括：

水平方向間隔排布的左疊層和右疊層，所述左疊層和右疊層均包括依次疊置于所述襯底上的下隔離層、PMOS層、第一NMOS層、上隔離層和第二NMOS層，所述PMOS層、第一NMOS層和第二NMOS層均包括豎直疊置的第一源/漏層、溝道層和第二源/漏層，所述溝道層相對于第一源/漏層和第二源/漏層橫向凹入；

柵堆疊，在豎直方向上介于所述第一源/漏層與第二源/漏層之間，且設于所述溝道層的相對兩側以嵌入所述溝道層的橫向凹入。

2.根據權利要求1所述的存儲器件，還包括：

硬掩膜層，設置于所述第二NMOS層的第一源/漏層上。

3.根據權利要求1所述的存儲器件，其中，所述柵堆疊包括柵介質層和柵導體層，所述柵介質層包括功函數調節金屬和設置于所述功函數調節金屬上的柵導電金屬。

4.根據權利要求3所述的存儲器件，其中，所述柵導體層包括p型柵導體層和n型柵導體層，其中：

所述p型柵導體層設置于所述PMOS層的第一源/漏層與第二源/漏層之間；

所述n型柵導體層設置于所述第一NMOS層的第一源/漏層與第二源/漏層之間，以及所述第二NMOS層的第一源/漏層與第二源/漏層之間。

5.根據權利要求3所述的存儲器件，其中，所述第一源/漏層和第二源/漏層的橫向外周部分凹入且凹入的部分填充有第三SiC層；和/或

所述柵導體層的橫向外周部分凹入且凹入的部分填充有第三SiC層。

6.根據權利要求5所述的存儲器件，其中，所述第三SiC層的外側壁與所述左疊層和右疊層在豎直方向上共面。

7.根據權利要求1所述的存儲器件，還包括：

第五SiO₂層，形成于所述左疊層與右疊層之間的襯底上，所述第五SiO₂層的頂部高于所述PMOS層的第一源/漏層的底部且低于所述PMOS層的第一源/漏層的頂部。

8.根據權利要求7所述的存儲器件，還包括：

第一金屬層，形成于在所述左疊層和右疊層的縱向中部位置的所述第五SiO₂層上，所述第一金屬層的頂部高于所述PMOS層的第一源/漏層的頂部且低于所述PMOS層的第二源/漏層的底部。

9.根據權利要求8所述的存儲器件，還包括：

依次形成于所述第一金屬層上的第六SiO₂層和第二金屬層，

所述第六SiO₂層的頂部高于所述第一NMOS層的第一源/漏層的頂部且低于所述第一NMOS層的第二源/漏層的底部；

所述第二金屬層的頂部高于所述第一NMOS層的第二源/漏層的底部且低于所述第一NMOS層的第二源/漏層的頂部。

10.根據權利要求8所述的存儲器件，還包括：

第七SiO₂層，形成于除所述縱向中部位置之外的所述第五SiO₂層上，所述第七SiO₂層的頂部高于所述PMOS層的第一源/漏層的頂部且低于所述PMOS層的第二源/漏層的底部。

11.根據權利要求10所述的存儲器件，還包括：

第三金屬層，形成于所述第七SiO₂層上，所述第三金屬層的頂部高于所述第一NMOS層的第一源/漏層的頂部且低于所述第一NMOS層的第二源/漏層的底部。