[發明專利]一種降低發射器增益溫漂的裝置及方法

在審

• 申請號: 202111510154.1
• 申請日: 2021-12-10
• 公開（公告）號: CN114362684A
• 公開（公告）日: 2022-04-15
• 發明（設計）人: 范超;王麗;李勃彥;邵志剛
• 申請（專利權）人: 成都振芯科技股份有限公司
• 主分類號: H03F1/30
• 分類號: H03F1/30;H03F3/24;H04B1/04
• 代理公司: 成都睿道專利代理事務所(普通合伙) 51217
• 代理人: 賀理興

本發明提供一種降低發射器增益溫漂的裝置及方法，包括輸入端口、運算放大器、第一NMOS管、第二NMOS管、電源端口、恒流源、負載和輸出端口；運算放大器的反相輸入端與輸入端口連接；第一NMOS管的柵極和第二NMOS管的柵極均與運算放大器的輸出端連接；第一NMOS管的漏極和恒流源的正極均與運算放大器的同相輸入端連接；第一NMOS管的源極和第二NMOS管的源極均接地；恒流源的負極和負載的第一端均與電源端口連接；負載的第二端和第二NMOS管的漏極均與輸出端口連接；本發明在降低發射器增益溫漂的同時提高裝置的適應性。

技術領域

本發明涉及無線通信技術領域，具體而言，涉及一種降低發射器增益溫漂的裝置及方法。

背景技術

在無線通信中，發射功率直接影響通信的距離。在溫度變化時，若發射輸出功率變化較大，則最大的發射功率肯定會超過系統需要的功率，會帶來電磁兼容問題和額外的功耗問題。所以芯片應盡可能降低發射通道輸出功率的溫漂變化。為了降低發射通道輸出功率的溫漂變化，有的方法通過放大管采用PTAT電流或負溫度系數的反饋電阻來實現，提高放大管在高溫時的跨導，從而降低輸出功率隨溫度升高而減小的效應；有的方法則是將增益調整用不同溫度系數的電阻的比例來實現。但是采用PTAT電流時，要完全補償增益變化，需要PTAT的斜率很高，這樣在低溫時，較低的電流將導致電路的線性度變差。采用帶源級負反饋的電阻時，會降低放大器的增益，需要增加放大管的電流，從而提高功耗，而且由于需要通過電阻的溫度系數來補償增益溫漂，實際會受到工藝限制，要同時滿足增益和較低的溫漂可能會導致非常大的功耗。采用不同溫度系數的比例時，在選定的工藝制程中不一定能找到具有合適溫度系數的電阻，這種方法不一定適應所有的工藝制程。因此，需要提供一種方案以便于在降低發射器增益溫漂的同時提高裝置的適應性。

發明內容

本發明的目的在于提供一種降低發射器增益溫漂的裝置及方法，用以實現在降低發射器增益溫漂的同時提高裝置的適應性的技術效果。

第一方面，本發明提供了一種降低發射器增益溫漂的裝置，包括包括輸入端口、運算放大器、第一NMOS管、第二NMOS管、電源端口、恒流源、負載和輸出端口；所述運算放大器的反相輸入端與所述輸入端口連接；所述第一NMOS管的柵極和所述第二NMOS管的柵極均與所述運算放大器的輸出端連接；所述第一NMOS管的漏極和所述恒流源的正極均與所述運算放大器的同相輸入端連接；所述第一NMOS管的源極和所述第二NMOS管的源極均接地；所述恒流源的負極和所述負載的第一端均與所述電源端口連接；所述負載的第二端和所述第二NMOS管的漏極均與所述輸出端口連接。

進一步地，所述第二NMOS管的跨導為所述第一NMOS管的跨導的k倍，其中k為整數。

進一步地，所述第二NMOS管為可拆卸的外接NMOS管。

進一步地，所述第一NMOS管為可拆卸的外接NMOS管。

第二方面，本發明提供了一種降低發射器增益溫漂的方法，應用于上述的降低發射器增益溫漂的裝置，包括：

獲取輸入端口的輸入信號并根據所述輸入信號以及恒流源的正極與第一NMOS管的漏極之間線路上的第一反饋信號進行放大處理，得到第一控制信號；

將第一控制信號同時作用于第一NMOS管的柵極和第二NMOS管的柵極；

將第二NMOS管的跨導設為第一NMOS管的跨導的k倍，從而得到輸出端口的輸出信號；其中k為整數。

本發明能夠實現的有益效果是：本發明提供的降低發射器增益溫漂的裝置通過運算放大器、第一NMOS管和恒流源組成了兩級放大器，且構成了負反饋電路，以便于運算放大器同相輸入端的電壓和反相輸入端的電壓可以保持一致，使得輸出端口輸出的信號增益只與恒流源、負載、第一NMOS管的跨導與第二NMOS管的跨導之間的比例系數和工藝參數等相關，不易受到溫度的影響，能夠應用在各種不同工藝中，在降低發射器增益溫漂的同時提高裝置的適應性。

附圖說明