[發明專利]一種降低發射器增益溫漂的裝置及方法

在審

• 申請號: 202111510154.1
• 申請日: 2021-12-10
• 公開（公告）號: CN114362684A
• 公開（公告）日: 2022-04-15
• 發明（設計）人: 范超;王麗;李勃彥;邵志剛
• 申請（專利權）人: 成都振芯科技股份有限公司
• 主分類號: H03F1/30
• 分類號: H03F1/30;H03F3/24;H04B1/04
• 代理公司: 成都睿道專利代理事務所(普通合伙) 51217
• 代理人: 賀理興

1.一種降低發射器增益溫漂的裝置，其特征在于，包括輸入端口、運算放大器、第一NMOS管、第二NMOS管、電源端口、恒流源、負載和輸出端口；所述運算放大器的反相輸入端與所述輸入端口連接；所述第一NMOS管的柵極和所述第二NMOS管的柵極均與所述運算放大器的輸出端連接；所述第一NMOS管的漏極和所述恒流源的正極均與所述運算放大器的同相輸入端連接；所述第一NMOS管的源極和所述第二NMOS管的源極均接地；所述恒流源的負極和所述負載的第一端均與所述電源端口連接；所述負載的第二端和所述第二NMOS管的漏極均與所述輸出端口連接。

2.根據權利要求1所述的降低發射器增益溫漂的裝置，其特征在于，所述第二NMOS管的跨導為所述第一NMOS管的跨導的k倍，其中k為整數。

3.根據權利要求1所述的降低發射器增益溫漂的裝置，其特征在于，所述第二NMOS管為可拆卸的外接NMOS管。

4.根據權利要求1所述的降低發射器增益溫漂的裝置，其特征在于，所述第一NMOS管為可拆卸的外接NMOS管。

5.一種降低發射器增益溫漂的方法，應用于權利要求1-4任一項所述的降低發射器增益溫漂的裝置，其特征在于，包括：

獲取輸入端口的輸入信號并根據所述輸入信號以及恒流源的正極與第一NMOS管的漏極之間線路上的第一反饋信號進行放大處理，得到第一控制信號；

將第一控制信號同時作用于第一NMOS管的柵極和第二NMOS管的柵極；

將第二NMOS管的跨導設為第一NMOS管的跨導的k倍，從而得到輸出端口的輸出信號；其中k為整數。