[發明專利]一種SMP連接器的自動化去金搪錫工藝方法及使用的工裝

在審

• 申請號: 202111508130.2
• 申請日: 2021-12-10
• 公開（公告）號: CN114243414A
• 公開（公告）日: 2022-03-25
• 發明（設計）人: 宋惠東;楊兆軍;洪肇斌;周自泉;李苗;孫曉偉;王彪;鄭木亮;殷忠義;張超;范夢龍;汪旭宏
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第三十八研究所
• 主分類號: H01R43/02
• 分類號: H01R43/02
• 代理公司: 合肥市浩智運專利代理事務所(普通合伙) 34124
• 代理人: 繆璐歡

本發明公開了一種SMP連接器的自動化去金搪錫工藝方法，涉及電子裝聯技術領域，是基于現有的采用熱風整平的方式對多余錫進行整平，存在背風面錫殘留較多，影響連接器的裝配的問題提出的，包括以下步驟：S1、安裝連接器至專用工裝上；S2、上助焊劑；S3、預熱；S4、去金；S5、上助焊劑；S6、預熱；S7、搪錫；S8、旋轉甩錫。本發明還提供上述SMP連接器的自動化去金搪錫工藝方法使用的工裝。本發明采用旋轉甩錫的方式對連接器圓柱面多余的錫進行整平，選擇合適的工藝參數，實現SMP連接器的自動化去金搪錫，采用旋轉甩錫的工藝，模擬手工錫鍋搪錫時的甩錫動作，解決了SMP連接器自動化去金搪錫搪錫面平整度差和圓柱面錫殘留的問題。

技術領域

本發明涉及電子裝聯技術領域，具體為一種SMP連接器的自動化去金搪錫工藝方法及使用的工裝。

背景技術

SMP連接器因其具備工作頻段高、連接器快速、抗振性強、體積小、重量輕等優點，越來越被用在人造衛星、航空航天、相控陣雷達等領域。SMP連接器廠家為保證產品的有效存儲，同時滿足高頻使用和電性能連接器需求，連接器外導體表面和內導體表面均采用鍍金保護處理，常用的SMP連接器的鍍金層厚度在0.5-1.27μm。

研究表明，鍍金導體上直接焊接，在焊接界面會生成SnAu4金屬間化合物導致“金脆”效應，因此針對軍工、航空航天等領域的高可靠性電子產品，提出了鍍金元器件焊接前去金搪錫的要求。在GJB/Z 163-2012、QJ 3267-2006、QJ 3012-98等標準中均提出了不允許在金鍍層上直接進行焊接，鍍金層大于2.5μm需要經過兩次搪錫處理，小于2.5μm應進行一次搪錫處理；因此SMP連接器在焊接前必須去金搪錫處理。

目前，業內對于SMP連接器的去金搪錫方式主要是手工烙鐵搪錫和靜止錫鍋浸錫兩種，如申請號為CN201410365156.X的專利公開一種搪錫處理方法，首先將引線的根部用紗布進行纏裹；然后將已涂覆助焊劑的鍍金引線在搪錫專用錫鍋中浸2-3s，溫度保持在250-270℃之間；再將引線浸入普通錫鍋中進行二次搪錫。但是手工烙鐵搪錫和靜止錫鍋浸錫對操作人員要求較高，去金后需要使用吸錫帶去除連接器圓柱面上多余的錫來保證搪錫面的平整度，去金搪錫一致性較差，效率較低。查閱相關專利和文獻，對于SMP自動化去金搪錫的工藝方法報道很少，尤其針對去金搪錫后如何整平連接器圓柱面多余錫方面；有專利報道，采用熱風整平的方式對多余錫進行整平，但該種方式仍存在背風面錫殘留較多的缺陷，后期可能會影響連接器的裝配。

發明內容

本發明所要解決的技術問題在于如何解決現有的采用熱風整平的方式對多余錫進行整平，存在背風面錫殘留較多，影響連接器的裝配的問題。

本發明通過以下技術手段實現解決上述技術問題的：

一種SMP連接器的自動化去金搪錫工藝方法，采用高速旋轉離心甩錫的方法去除連接器圓柱面上多余的錫，包括以下步驟：

S1、設備開機，調用SMP連接器去金搪錫程序，將SMP連接器清洗后裝載至工裝上，將工裝安裝至設備的四坐標XYZR模組上；

S2、四坐標XYZR模組將工裝移動至助焊劑位上對SMP連接器內導體和外導體浸漬助焊劑；

S3、四坐標XYZR模組將工裝移動至預熱位上對SMP連接器進行預熱；

S4、去金：四坐標XYZR模組將工裝移動至去金位處對SMP連接器進行去金處理；

S5、四坐標XYZR模組再次將工裝移動至助焊劑位上對SMP連接器內導體和外導體浸漬助焊劑；

S6、四坐標XYZR模組將工裝移動至預熱位上對SMP連接器進行預熱；

S7、搪錫：四坐標XYZR模組將工裝移動至搪錫位處對SMP連接器進行搪錫處理；

S8、四坐標XYZR模組帶動工裝從搪錫錫鍋出來后，迅速進行高速旋轉，轉動方式采用單方向高速旋轉。