[發明專利]LPCVD石英舟的清洗方法在審
| 申請號: | 202111505989.8 | 申請日: | 2021-12-10 |
| 公開(公告)號: | CN114192489A | 公開(公告)日: | 2022-03-18 |
| 發明(設計)人: | 許禮;張中建;高榮剛;龔琴赟;其他發明人請求不公開姓名 | 申請(專利權)人: | 中節能太陽能科技(鎮江)有限公司 |
| 主分類號: | B08B3/08 | 分類號: | B08B3/08;B08B3/10;B08B3/04;B08B13/00 |
| 代理公司: | 北京創賦致遠知識產權代理有限公司 11972 | 代理人: | 湯磊 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | lpcvd 石英 清洗 方法 | ||
本發明公開了一種LPCVD石英舟的清洗方法,采用堿洗液對石英舟進行堿洗。對于TOPCon工藝流程中LPCVD非晶硅制備方法使用的石英舟,采用堿洗液對石英舟進行清洗,去除表面的非晶硅層,但堿洗液不會與石英舟本身的氧化硅反應,因此清洗過程、清洗程度容易控制,僅需控制充分堿洗去除非晶硅層和充分水洗去除堿洗液,不僅去除非晶硅層的效果好,還沒有對石英舟本身刻蝕的風險,石英舟的使用壽命大幅提高;相比于酸洗液,堿洗液的用料成本低,無酸洗產生的氟排放和廢水處理成本。
技術領域
本發明涉及一種石英舟的清洗方法,特別是一種對LPCVD非晶硅制備方法使用的石英舟進行清洗的方法。
背景技術
TOPCon是一種基于選擇性載流子原理的隧穿氧化層鈍化接觸(Tunnel OxidePassivated Contact)太陽能電池技術,其電池結構為N型硅襯底電池,在電池背面制備一層超薄氧化硅,然后再沉積一層摻雜非晶硅層,二者共同形成了鈍化接觸結構,有效降低表面復合和金屬接觸復合。其中TOPCon工藝流程中非晶硅制備方法有LPCVD(低壓化學沉積)和PECVD(等離子體化學氣相增強沉積)等方法,LPCVD技術相對更加成熟、穩定,其使用的載具為石英舟,而石英舟為了循環重復利用,在長時間使用后需要去除表面的非晶硅層。行業內普遍使用氫氟酸加硝酸刻蝕去除,該方法由于酸洗液的刻蝕性強,清洗程度不易控制,容易洗去部分石英,降低了石英舟使用壽命,易導致石英舟碎裂,從而增加運營成本。
發明內容
發明目的:本發明的目的是提供一種對TOPCon工藝流程中LPCVD非晶硅制備方法使用的石英舟進行清洗的方法,即能去除石英舟表面的非晶硅層,又不損傷石英舟本身。
技術方案:一種LPCVD石英舟的清洗方法,包括如下步驟:
步驟一:將石英舟放置在石英舟清洗機的清洗槽內;
步驟二:清洗槽內加堿洗液,將石英舟完全浸沒,堿洗液為氫氧化物的水溶液;
步驟三:開啟清洗機,對石英舟充分堿洗;
步驟四:排放清洗機中的堿洗液,加純水循環置換對石英舟水洗;
步驟五:檢測水洗后的石英舟表面酸堿度,如為中性,則石英舟表面無殘留堿洗液,水洗符合要求,如為堿性,則返回步驟四繼續水洗;
步驟六:取出水洗符合要求的石英舟,吹干表面即可。
進一步的,步驟二中,堿洗液為氫氧化鈉溶液或氫氧化鉀溶液。
進一步的,步驟二中,氫氧化物的質量E×F≥H×ABCCDG×10-18,其中:LPCVD非晶硅制備時,每次的非晶硅層鍍膜膜厚為Anm,每個石英舟使用次數為B次,硅片尺寸為C mm,每個石英舟放置D個小舟,系數H是與每個石英舟及其中放置的D個小舟的總表面積相關的估算偏差,系數H為0.62~3.73,氫氧化物的摩爾質量為G g/mol,氫氧化物的體積為E L,氫氧化物的質量濃度為F。
進一步的,步驟三中,氫氧化物的質量濃度F為35%~100%。
進一步的,步驟三中,堿洗時對堿洗液加熱,加熱溫度60~70℃。
進一步的,步驟五中,檢測水洗后的石英舟表面酸堿度的方法為:使用pH試紙或使用濃度分析測試儀,檢測水洗后的石英舟表面的水珠的酸堿度。
本發明的原理:
氫氧化鉀:Si+KOH+H2O(加熱條件下)=K2SiO3+2H2↑
氫氧化鈉:Si+NaOH+H2O(加熱條件下)=Na2SiO3+2H2↑
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