[發明專利]一種高透電磁屏蔽鍍膜玻璃及其生產制備方法

在審

• 申請號: 202111505473.3
• 申請日: 2021-12-10
• 公開（公告）號: CN114133145A
• 公開（公告）日: 2022-03-04
• 發明（設計）人: 胡凡;江濤;軒吉超
• 申請（專利權）人: 河南康耀電子股份有限公司
• 主分類號: C03C17/34
• 分類號: C03C17/34
• 代理公司: 河南大象律師事務所 41129
• 代理人: 王俊秀

本發明公開了一種高透電磁屏蔽鍍膜玻璃及其生產制備方法，高透電磁屏蔽鍍膜玻璃包括玻璃基體，所述玻璃基體的上表面設置光學鍍層A，所述玻璃基體的下表面設置屏蔽層，所述屏蔽層下部設置光學鍍層B，所述光學鍍層A包括二氧化硅層A、五氧化二鈮層，所述二氧化硅層A設置于五氧化二鈮層上部；高透電磁屏蔽鍍膜玻璃的生產制備方法，包括如下步驟：基片清洗、基片運輸、抽真空、基片加熱、濺鍍、緩沖退火、卸片、包裝；有效解決電子系統與電子設備間的電磁干擾，防止電磁信息泄漏，防護電磁輻射污染；有效保障儀器設備正常工作，保障機密信息的安全，保障工作人員身體健康；并且整體透光性能好，提高可見光波段透射率，提升整體顯示效果。

技術領域

本發明屬于電磁屏蔽玻璃技術領域，特別是一種高透電磁屏蔽鍍膜玻璃及其生產制備方法。

背景技術

電磁屏蔽,就是用導電導磁材料制成的屏蔽體（Shield）將電磁波限定在一定的范圍內，使電磁波從屏蔽體的一面耦合或輻射到另一面時受到抑制或衰減。 電磁屏蔽薄膜主要是靠具有導電性能的材料（Ag，ITO氧化銦錫等）制成的薄膜，可以鍍在玻璃上，或是在其它的基板上，如塑料薄膜上，材料主要性能指標是：透光率，和屏蔽效能。

隨著計算機在國防、軍事、經濟、商業等各個領域的廣泛應用和普及，計算機系統與設備間抗電磁干擾、信息泄漏現象逐漸加劇，直接危及電子設備的正常運行和國家情報的保密性。電磁屏蔽是防信息泄漏和電磁干擾的一種有效手段。

玻璃是無機非金屬材料，本身不能屏蔽電磁波。通過表面鍍透明導電膜，賦予玻璃金屬的特性，當電磁波經過時，被有效的衰減，實現對電磁波的屏蔽。膜層可以是導體，也可以是半導體，通過對膜層材料的選擇和厚度的控制可以調整電磁波屏蔽的波長范圍和衰減效果。

鍍膜電磁屏蔽玻璃以ITO透明導電膜為主，膜層牢固，透光性能好。電磁屏蔽性能優良，ITO面電阻需盡可能低，但整體透光性能會受影響，顯示效果將變差。為了解決這一問題，在ITO膜層上鍍制增透膜，提高可見光波段透過率，提升整體顯示效果。

發明內容

本發明的目的在于提供一種高透電磁屏蔽鍍膜玻璃，可以有效解決電子系統與電子設備間的電磁干擾，防止電磁信息泄漏，防護電磁輻射污染；有效保障儀器設備正常工作，保障機密信息的安全，同時還能提高可見光波段透過率，提升整體顯示效果，具有極高的使用價值。

本發明的目的是這樣實現的：一種高透電磁屏蔽鍍膜玻璃，包括玻璃基體，所述玻璃基體的上表面設置光學鍍層A，所述玻璃基體的下表面設置屏蔽層，所述屏蔽層下部設置光學鍍層B，所述光學鍍層A包括二氧化硅層A、五氧化二鈮層，所述二氧化硅層A設置于五氧化二鈮層上部。

所述屏蔽層為ITO導電玻璃。

所述光學鍍層B為二氧化硅層B，或氟化鎂層。

所述二氧化硅層A的厚度設置為105-125nm。

所述五氧化二鈮層的厚度設置為12-18nm。

所述屏蔽層的ITO導電玻璃厚度設置為295-305nm。

所述光學鍍層B的厚度設置為88-92nm。

一種高透電磁屏蔽鍍膜玻璃的生產制備方法，包括如下步驟：

a.基片清洗：將玻璃基體用去離子水進行清洗，并進行烘干處理，除去玻璃基體表面的吸附水；

b.基片運輸：將清洗后的玻璃基體放到輸送架上，輸送到連續磁控濺射鍍膜設備的設備腔中；

c.抽真空：先將鍍膜室的真空度調至10^-5Pa；

d.基片加熱：將玻璃基體預熱至280℃左右；

e.濺鍍：將預熱后的玻璃基體送入鍍膜室，通過磁控濺射依次鍍制光學鍍層A、屏蔽層、光學鍍層B；其中，鍍制光學鍍層A時，先鍍制五氧化二鈮層，再鍍制其上部的二氧化硅層A；