[發(fā)明專利]一種高透電磁屏蔽鍍膜玻璃及其生產(chǎn)制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202111505473.3 | 申請日： | 2021-12-10 |
| 公開（公告）號： | CN114133145A | 公開（公告）日： | 2022-03-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 胡凡;江濤;軒吉超 | 申請（專利權(quán)）人： | 河南康耀電子股份有限公司 |
| 主分類號： | C03C17/34 | 分類號： | C03C17/34 |
| 代理公司： | 河南大象律師事務(wù)所 41129 | 代理人： | 王俊秀 |
| 地址： | 472400 河*** | 國省代碼： | 河南;41 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 電磁 屏蔽 鍍膜 玻璃 及其 生產(chǎn) 制備 方法 | ||
1.一種高透電磁屏蔽鍍膜玻璃，包括玻璃基體，所述玻璃基體的上表面設(shè)置光學(xué)鍍層A，所述玻璃基體的下表面設(shè)置屏蔽層，所述屏蔽層下部設(shè)置光學(xué)鍍層B，其特征在于：所述光學(xué)鍍層A包括二氧化硅層A、五氧化二鈮層，所述二氧化硅層A設(shè)置于五氧化二鈮層上部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高透電磁屏蔽鍍膜玻璃，其特征在于：所述屏蔽層為ITO導(dǎo)電玻璃。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高透電磁屏蔽鍍膜玻璃，其特征在于：所述光學(xué)鍍層B為二氧化硅層B，或氟化鎂層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高透電磁屏蔽鍍膜玻璃，其特征在于：所述二氧化硅層A的厚度設(shè)置為105-125nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高透電磁屏蔽鍍膜玻璃，其特征在于：所述五氧化二鈮層的厚度設(shè)置為12-18nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種高透電磁屏蔽鍍膜玻璃，其特征在于：所述屏蔽層的ITO導(dǎo)電玻璃厚度設(shè)置為295-305nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種高透電磁屏蔽鍍膜玻璃，其特征在于：所述光學(xué)鍍層B的厚度設(shè)置為88-92nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一所述的一種高透電磁屏蔽鍍膜玻璃的生產(chǎn)制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
a.基片清洗：將玻璃基體用去離子水進(jìn)行清洗，并進(jìn)行烘干處理，除去玻璃基體表面的吸附水；
b.基片運(yùn)輸：將清洗后的玻璃基體放到輸送架上，輸送到連續(xù)磁控濺射鍍膜設(shè)備的設(shè)備腔中；
c.抽真空：先將鍍膜室的真空度調(diào)至10-5Pa；
d.基片加熱：將玻璃基體預(yù)熱至280℃左右；
e.濺鍍：將預(yù)熱后的玻璃基體送入鍍膜室，通過磁控濺射依次鍍制光學(xué)鍍層A、屏蔽層、光學(xué)鍍層B；其中，鍍制光學(xué)鍍層A時，先鍍制五氧化二鈮層，再鍍制其上部的二氧化硅層A；
f.緩沖退火：膜層鍍制好后，將鍍膜玻璃送入緩沖室，在緩沖室緩沖退火5分鐘，然后產(chǎn)品流出磁控濺射鍍膜機(jī)；
g.卸片、包裝：從磁控濺射鍍膜機(jī)上取下制成的高透電磁屏蔽鍍膜玻璃，經(jīng)過外觀檢測、性能檢測合格后，進(jìn)行包裝。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種高透電磁屏蔽鍍膜玻璃的生產(chǎn)制備方法，其特征在于：在濺鍍過程中，鍍制光學(xué)鍍層A和光學(xué)鍍層B時，鍍膜室的溫度控制在280℃左右，氬氣流量控制在200sccm，氧氣流量控制在20sccm。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種高透電磁屏蔽鍍膜玻璃的生產(chǎn)制備方法，其特征在于：在濺鍍過程中，屏蔽層時，鍍膜室的溫度控制在390℃左右，氬氣流量控制在280sccm，不充氧氣。
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