[發明專利]含金屬抗蝕劑用稀釋劑組合物

在審

• 申請號: 202111504806.0
• 申請日: 2021-12-10
• 公開（公告）號: CN114624967A
• 公開（公告）日: 2022-06-14
• 發明（設計）人: 全吉敏;安奎相;趙庸桓;尹嚆重
• 申請（專利權）人: 東友精細化工有限公司
• 主分類號: G03F7/42
• 分類號: G03F7/42
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;宋?；?/td>

本發明提供一種含金屬抗蝕劑用稀釋劑組合物，其包含烷醇胺化合物、芳香族醇化合物以及有機溶劑。本發明的含金屬抗蝕劑用稀釋劑組合物能夠在使含金屬抗蝕劑、特別是錫基抗蝕劑的使用量減少或者將其去除時有效使用。

技術領域

本發明涉及含金屬抗蝕劑用稀釋劑組合物，更詳細而言，涉及能夠使含金屬抗蝕劑的使用量減少或將其去除時有效使用的含金屬抗蝕劑用稀釋劑組合物。

背景技術

半導體元件的制造工序中，在晶圓上涂布抗蝕劑，在轉印所設計的圖案后，實施蝕刻工序，從而制作如半導體集成電路那樣微細電路圖案的操作稱之為光刻(photolithography)工序。這是經由涂布、曝光、顯影、蝕刻以及剝離步驟而形成所要得到的微細電路圖案的工序。

在這樣的光刻工序中，在晶圓的表面均勻地涂布抗蝕劑的步驟之后，需要將不必要地涂布在晶圓的邊緣(edge)部分或背面的光致抗蝕劑去除的操作。這是因為，在晶圓的邊緣或背面存在抗蝕劑的情況下，由于這些抗蝕劑的存在，在蝕刻、離子注入等之類的后續步驟中可能發生各種不良，由此可能導致整個半導體裝置的收率降低。

以往，為了將存在于晶圓的邊緣或背面的抗蝕劑去除，主要使用了在晶圓邊緣部分的上下設置噴射噴嘴且通過上述噴嘴對邊緣或背面噴射由有機溶劑成分形成的稀釋劑組合物的方法。

例如，韓國公開專利第10-2013-0125029號公開了一種能夠用于這樣的晶圓處理的稀釋劑組合物，其包含a)甲氧基丙醇乙酸酯、b)甲基2-羥基異丁酸甲酯、以及c)1-甲氧基-2-丙醇。

近年來，隨著半導體元件的高集成化，要求形成更加微細且精確的圖案。為此，要求將13.4nm的波長的極紫外線(Extreme ultraviolet，EUV)用作光源的曝光工序。EUV由于波長非常短，因此在以往的抗蝕劑膜內會被全部吸收而難以形成精確的圖案。因此，在將EUV用作光源的光刻工序中需要能夠透過EUV的新材料的抗蝕劑以形成精確且微細的圖案。

為此，作為能夠透過EUV的抗蝕劑，提出了金屬基抗蝕劑。但是，這樣的金屬基抗蝕劑與以往的高分子基抗蝕劑的構成成分不同，因而要求開發新的稀釋劑組合物。

發明內容

所要解決的課題

本發明的目的在于，提供一種含金屬抗蝕劑用稀釋劑組合物，其能夠在使含金屬抗蝕劑的使用量減少或者將其去除時有效使用。

解決課題的方法

另一方面，本發明提供一種含金屬抗蝕劑用稀釋劑組合物，其包含烷醇胺化合物、芳香族醇化合物以及有機溶劑。

本發明的一實施方式中，上述金屬可以包含錫(Sn)的單一金屬、合金、氧化物、氫氧化物或氮化物。

本發明的一實施方式中，上述烷醇胺化合物可以在分子內具有2個以上的羥基。

本發明的一實施方式中，上述烷醇胺化合物可以包含以下化學式1～3所表示的化合物中的一種以上。

[化學式1]

[化學式2]

[化學式3]

上述式中，

R為氫或C₁-C₆的烷基，

R¹～R⁴各自獨立地為氫或C₁-C₆的烷基，

m、n、o和p各自獨立地為0～3的整數。