[發明專利]一種芯片化學開封方法在審
| 申請號: | 202111502989.2 | 申請日: | 2021-12-09 |
| 公開(公告)號: | CN114203566A | 公開(公告)日: | 2022-03-18 |
| 發明(設計)人: | 申文璐 | 申請(專利權)人: | 昆山丘鈦微電子科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京眾達德權知識產權代理有限公司 11570 | 代理人: | 查薇 |
| 地址: | 215300 江蘇省蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 芯片 化學 開封 方法 | ||
一種芯片化學開封方法,方法包括:得到待開封芯片,所述待開封芯片包括芯片本體和附著于所述芯片本體的底部填充膠層;將第一溶脹劑施加于所述底部填充膠層,用以軟化所述底部填充膠層;將軟化后的所述底部填充膠層進行剔除,得到所述芯片本體;將第二溶脹劑施加于所述芯片本體的封裝層,用以去除所述封裝層;對所述封裝層進行清洗,完成開封。本申請提供的芯片化學開封方法,通過使用化學試劑的方法開封芯片,易于將底部填充膠層清除干凈,且不會損傷芯片的IC層。
技術領域
本發明屬于芯片開封技術領域,具體涉及一種芯片化學開封方法。
背景技術
芯片是經常使用的零件,在多個領域廣泛應用。當芯片故障時,需要對芯片上的IC層(集成電路層)進行修復和檢查,此時需要露出IC層,而IC層外設有保護的封裝層,故需先去除芯片的封裝層才可進行修復和檢查,而往往在芯片使用時,會在封裝層外附著底部填充膠層,目前的,去除底部填充膠層和封裝層方法是采用酸直接進行腐蝕,但申請人在發明過程中發現:底部填充膠層和封裝層均為有機物,均可被硝酸腐蝕,封裝層腐蝕速率比底部填充膠層快,由于底部填充膠層薄厚不一,導致無底部填充膠層覆蓋的區域的線路被腐蝕,導致無法進行修復和檢查。另外,由于需要檢修芯片時,由于芯片底部存在封裝層和底部填充膠層,導致無法看清IC層,因此需要去除封裝層和底部填充膠層,并且不損壞IC層。
發明內容
鑒于上述問題,本發明提供克服上述問題或者至少部分地解決上述問題的一種芯片化學開封方法。
為解決上述技術問題,本發明實施例提供了一種芯片化學開封方法,所述方法包括:
得到待開封芯片,所述待開封芯片包括芯片本體和附著于所述芯片本體的底部填充膠層;
將第一溶脹劑施加于所述底部填充膠層,用以軟化所述底部填充膠層;
將軟化后的所述底部填充膠層進行剔除,得到所述芯片本體;
將第二溶脹劑施加于所述芯片本體的封裝層,用以去除所述封裝層;
對所述封裝層進行清洗,完成開封。
可選的,所述將第一溶脹劑施加于所述底部填充膠層,包括:
將所述底部填充膠層浸泡所述第一溶脹劑;
保持所述第一溶脹劑在所述底部填充膠層上達第一預設時間。
可選的,所述第一溶脹劑為丙酮。
可選的,所述第一預設時間為20min-40min。
可選的,所述第一預設時間為25min-35min。
可選的,所述將第二溶脹劑施加于所述芯片本體的封裝層,包括:
將所述第二溶脹劑滴加在所述封裝層上;
保持所述第二溶脹劑在所述封裝層上達第二預設時間。
可選的,所述第二溶脹劑為硝酸、稀硫酸和鹽酸中的至少一種。
可選的,所述第二預設時間為20min-40min。
可選的,所述第二預設時間為25min-35min。
可選的,所述對所述封裝層進行清洗,包括:
使用清洗液對去除封裝層的表面進行清洗,所述清洗液包括清水、去離子水或蒸餾水。
本發明實施例中的一個或多個技術方案,至少具有如下技術效果或優點:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





