[發(fā)明專利]一種芯片化學(xué)開封方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202111502989.2 | 申請(qǐng)日: | 2021-12-09 |
| 公開(公告)號(hào): | CN114203566A | 公開(公告)日: | 2022-03-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 申文璐 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 昆山丘鈦微電子科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/56 | 分類號(hào): | H01L21/56;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京眾達(dá)德權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11570 | 代理人: | 查薇 |
| 地址: | 215300 江蘇省蘇*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 芯片 化學(xué) 開封 方法 | ||
1.一種芯片化學(xué)開封方法,其特征在于,所述方法包括:
得到待開封芯片,所述待開封芯片包括芯片本體和附著于所述芯片本體的底部填充膠層;
將第一溶脹劑施加于所述底部填充膠層,用以軟化所述底部填充膠層;
將軟化后的所述底部填充膠層進(jìn)行剔除,得到所述芯片本體;
將第二溶脹劑施加于所述芯片本體的封裝層,用以去除所述封裝層;
對(duì)所述封裝層進(jìn)行清洗,完成開封。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片化學(xué)開封方法,其特征在于,所述將第一溶脹劑施加于所述底部填充膠層,包括:
將所述底部填充膠層浸泡所述第一溶脹劑;
保持所述第一溶脹劑在所述底部填充膠層上達(dá)第一預(yù)設(shè)時(shí)間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的芯片化學(xué)開封方法,其特征在于,所述第一溶脹劑為丙酮。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的芯片化學(xué)開封方法,其特征在于,所述第一預(yù)設(shè)時(shí)間為20min-40min。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的芯片化學(xué)開封方法,其特征在于,所述第一預(yù)設(shè)時(shí)間為25min-36min。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片化學(xué)開封方法,其特征在于,所述將第二溶脹劑施加于所述芯片本體的封裝層,包括:
將所述第二溶脹劑滴加在所述封裝層上;
保持所述第二溶脹劑在所述封裝層上達(dá)第二預(yù)設(shè)時(shí)間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或6所述的芯片化學(xué)開封方法,其特征在于,所述第二溶脹劑為硝酸、稀硫酸和鹽酸中的至少一種。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的芯片化學(xué)開封方法,其特征在于,所述第二預(yù)設(shè)時(shí)間為20min-40min。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的芯片化學(xué)開封方法,其特征在于,所述第二預(yù)設(shè)時(shí)間為25min-35min。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片化學(xué)開封方法,其特征在于,所述對(duì)所述封裝層進(jìn)行清洗,包括:
使用清洗液對(duì)去除封裝層的表面進(jìn)行清洗,所述清洗液包括清水、去離子水或蒸餾水。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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