[發明專利]一種半導體低VOCs清洗劑

在審

• 申請號: 202111497412.7
• 申請日: 2021-12-09
• 公開（公告）號: CN114149869A
• 公開（公告）日: 2022-03-08
• 發明（設計）人: 吳愛平
• 申請（專利權）人: 蘇州德韜科技有限公司
• 主分類號: C11D1/66
• 分類號: C11D1/66;C11D3/20;C11D3/43;C11D3/60
• 代理公司: 蘇州佳捷天誠知識產權代理事務所(普通合伙) 32516
• 代理人: 石俊飛

本發明公開了一種半導體VOCs清洗劑，涉及一種清洗劑領域，包括質量份數為10?20份的表面活性劑、3?6份的二乙二醇丁醚、3?5份的助溶劑、0.5份的緩蝕劑和余量的去離子水。本發明能夠去除半導體上的砂粒、切削磨料、指紋及金屬離子，且去除能力強，同時本申請對半導體沒有腐蝕，使得清洗后的半導體的良品率高。

技術領域

本發明涉及一種清洗劑領域，特別涉及一種半導體低VOCs清洗劑。

背景技術

在集成電路生產中，半導體尤為重要，半導體的好壞直接影響著集成電路的質量。

半導體材料經過一系列的加工后形成的半導體的表面會形成砂粒、切削磨料、指紋及金屬離子，清洗的目的就是為了去除硅片表面顆粒、金屬離子以及有機物等污染物，使硅片表面達到無腐蝕氧化、無殘留等技術指標。

現有的半導體清洗劑去污能力不夠，且有腐蝕作用，使得清洗后的半導體不能夠滿足要求。

發明內容

本發明解決的技術問題是提供一種去污能力強、不具有腐蝕性的半導體清洗劑。

本發明解決其技術問題所采用的技術方案是：一種半導體清洗劑，包括如下組分：表面活性劑、二乙二醇丁醚、助溶劑、緩蝕劑和去離子水。

進一步的是：包括質量份數為10-20份的表面活性劑、3-5份的二乙二醇丁醚、3-5份的助溶劑、0.5份的緩蝕劑和余量的去離子水。

進一步的是：所述助溶劑為醇醚溶劑。

進一步的是：所述表面活性劑為非離子表面活性劑。

本發明的有益效果是：本發明能夠去除半導體上的砂粒、切削磨料、指紋及金屬離子，且去除能力強，同時本申請對半導體沒有腐蝕，使得清洗后的半導體的良品率高。

具體實施方式

下面結合具體實施方式對本發明進一步說明。

本申請的實施例提供了一種半導體低VOCs清洗劑，該半導體清洗劑包括如下組分：表面活性劑、二乙二醇丁醚、助溶劑、緩蝕劑和去離子水。

所述二乙二醇丁醚作為溶劑。

在上述基礎上，包括質量份數為10-20份的表面活性劑、3-6份的二乙二醇丁醚、3-5份的助溶劑、0.5份的緩蝕劑和余量水的去離子水。

在上述基礎上，所述助溶劑為醇醚溶劑。

在上述基礎上，所述表面活性劑為非離子表面活性劑。

實施例一：

一種半導體清洗劑，包括質量份數為10份的表面活性劑、3份的二乙二醇丁醚、3份的助溶劑、0.5份的緩蝕劑和30份的去離子水。

實施例二：

一種半導體清洗劑，包括質量份數15份的表面活性劑、4份的二乙二醇丁醚、4份的助溶劑、0.5份的緩蝕劑和35份的去離子水。

實施例三：

一種半導體清洗劑，包括質量份數為20份的表面活性劑、5份的二乙二醇丁醚、5份的助溶劑、0.5份的緩蝕劑和40份的去離子水。

以上所述的具體實施例，對本發明的目的、技術方案和有益效果進行了進一步詳細說明，所應理解的是，以上所述僅為本發明的具體實施例而已，并不用于限制本發明，凡在本發明的精神和原則之內，所做的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的保護范圍之內。