[發明專利]陣列基板的制作方法以及陣列基板、顯示面板有效
| 申請號: | 202111493844.0 | 申請日: | 2021-12-08 |
| 公開(公告)號: | CN114171516B | 公開(公告)日: | 2023-07-25 |
| 發明(設計)人: | 曾憲甫 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 汪阮磊 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 制作方法 以及 顯示 面板 | ||
本申請實施例提供一種陣列基板的制作方法以及陣列基板、顯示面板,陣列基板的制作方法包括:提供基板;在基板上設置第一金屬層;在第一金屬層上設置絕緣層;在絕緣層上設置第二金屬層,第二金屬層覆蓋部分絕緣層;在第二金屬層和未被第二金屬層覆蓋的絕緣層上設置鈍化層;對鈍化層以及絕緣層進行干法蝕刻,干法蝕刻采用的蝕刻氣體能夠解離出聚合物。本申請實施例提供的陣列基板的制作方法,通過干法蝕刻采用的蝕刻氣體能夠解離出聚合物,并且聚合物覆蓋在第一通孔處的第一金屬層表面和第二通孔處的第二金屬層的表面,以保護金屬層不受靜電影響,從而防止金屬線路層被ESD擊傷,有效提高生產良率及生產效率,降低生產成本。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種陣列基板的制作方法以及陣列基板、顯示面板。
背景技術
隨著顯示技術的發展,顯示面板被廣泛的應用于手機、電視、個人數字助理、筆記本電腦等各種消費性電子產品中,成為顯示裝置中的主流,人們對顯示面板的尺寸和分辨率的要求也越來越高。陣列基板面積的增大以及高分辨的顯示面板,需要更高的引線密度和更窄的引線間距,以平衡大尺寸顯示面板在壓降、延遲和分辨率等方面的要求。
然而,大尺寸高分辨的陣列基板制備過程中導電層裸漏在外,并且受基板及膜層應力的影響,不同膜層之間會出現偏移而導致金屬線路層的邊緣尖角露出,引起靜電累積及尖端放電現象,導致線路層被ESD(Electro-Static?discharge,靜電釋放)擊傷。
發明內容
本申請實施例提供一種陣列基板的制作方法以及陣列基板、顯示面板,以解決因ESD引起金屬線路層被靜電擊傷,導致生產良率及生產效率低下的問題。
為解決上述問題,本申請實施例提供一種陣列基板的制作方法,包括:
提供基板;
在所述基板上設置第一金屬層;
在所述第一金屬層上設置絕緣層;
在所述絕緣層上設置第二金屬層,所述第二金屬層覆蓋部分絕緣層;
在所述第二金屬層和未被所述第二金屬層覆蓋的絕緣層上設置鈍化層;
對所述鈍化層以及所述絕緣層進行干法蝕刻,所述干法蝕刻采用的蝕刻氣體能夠解離出聚合物。
在一些實施例中,所述蝕刻氣體包括四氟化碳,所述四氟化碳能夠解離出氟碳聚合物。
在一些實施例中,所述蝕刻氣體為三氟化氮、氧氣和四氟化碳的混合氣體。
在一些實施例中,所述蝕刻氣體中,三氟化氮、氧氣、四氟化碳的流量比為4.7:3:1。
在一些實施例中,所述蝕刻氣體包括三氟甲烷,所述三氟甲烷能夠解離出氟碳聚合物。
在一些實施例中,所述對所述鈍化層以及所述絕緣層進行干法蝕刻,包括:
對所述鈍化層以及絕緣層進行干法蝕刻,以形成多個第一通孔,并在形成所述多個第一通孔的過程中解離出氟碳聚合物,所述氟碳聚合物覆蓋所述第一通孔處的第一金屬層表面;
對所述鈍化層進行干法蝕刻,以形成多個第二通孔,并在形成所述多個第二通孔的過程中解離出氟碳聚合物,所述氟碳聚合物覆蓋所述第二通孔處的第二金屬層表面。
在一些實施例中,所述對所述鈍化層以及所述絕緣層進行干法蝕刻之后,還包括:
對所述多個第一通孔、所述多個第二通孔進行清洗,以去除所述多個第一通孔、所述多個第二通孔處的聚合物。
在一些實施例中,所述對所述多個第一通孔、所述多個第二通孔進行清洗之后還包括:
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司,未經深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202111493844.0/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





