[發明專利]陣列基板的制作方法以及陣列基板、顯示面板

有效

• 申請號: 202111493844.0
• 申請日: 2021-12-08
• 公開（公告）號: CN114171516B
• 公開（公告）日: 2023-07-25
• 發明（設計）人: 曾憲甫
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 汪阮磊

1.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供基板；

在所述基板上設置第一金屬層；

在所述第一金屬層上設置絕緣層；

在所述絕緣層上設置第二金屬層，所述第二金屬層覆蓋部分絕緣層；

在所述第二金屬層和未被所述第二金屬層覆蓋的絕緣層上設置鈍化層；

對所述鈍化層以及所述絕緣層進行干法蝕刻，所述干法蝕刻采用的蝕刻氣體能夠解離出聚合物；

其中，所述蝕刻氣體中，三氟化氮、氧氣、四氟化碳的流量比為4.7：3：1；且在所述干法蝕刻中所使用的源射頻功率的范圍為7-12千瓦，偏置射頻功率的范圍為4-10千瓦。

2.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述蝕刻氣體包括三氟甲烷，所述三氟甲烷能夠解離出氟碳聚合物。

3.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于：所述對所述鈍化層以及所述絕緣層進行干法蝕刻，包括：

對所述鈍化層以及所述絕緣層進行干法蝕刻，以形成多個第一通孔，并在形成所述多個第一通孔的過程中解離出氟碳聚合物，所述氟碳聚合物覆蓋所述第一通孔處的第一金屬層表面；

對所述鈍化層進行干法蝕刻，以形成多個第二通孔，并在形成所述多個第二通孔的過程中解離出氟碳聚合物，所述氟碳聚合物覆蓋所述第二通孔處的第二金屬層表面。

4.根據權利要求3所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述對所述鈍化層以及所述絕緣層進行干法蝕刻之后，還包括：

對所述多個第一通孔、所述多個第二通孔進行清洗，以去除所述多個第一通孔、所述多個第二通孔處的聚合物。

5.根據權利要求4所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述對所述多個第一通孔、所述多個第二通孔進行清洗之后還包括：

在所述鈍化層上設置像素電極層，所述像素電極層通過所述多個第一通孔和所述多個第二通孔分別與所述第一金屬層和所述第二金屬層連接。

6.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板通過權利要求1至5任一項所述的陣列基板的制作方法來制作，所述陣列基板包括：

基板；

第一金屬層，設置在所述基板上；

絕緣層，設置在所述第一金屬層上；

第二金屬層，設置在部分所述絕緣層上，所述第二金屬層覆蓋部分絕緣層；

鈍化層，設置在所述第二金屬層上以及未被所述第二金屬層覆蓋的絕緣層上；

像素電極層，設置在所述鈍化層上；

其中，所述絕緣層和所述鈍化層有多個貫通的第一通孔，所述鈍化層有多個貫通的第二通孔，所述像素電極層通過所述多個第一通孔與所述第一金屬層連接以及通過所述多個第二通孔與所述第二金屬層連接。

7.一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括權利要求6所述的陣列基板。