[發明專利]一種基于混維Sn-CdS/碲化鉬異質結的光電探測器及其制備方法

在審

• 申請號: 202111493107.0
• 申請日: 2021-12-08
• 公開（公告）號: CN114497248A
• 公開（公告）日: 2022-05-13
• 發明（設計）人: 張黎;韓曉寧;張詩豪;李京波
• 申請（專利權）人: 華南師范大學
• 主分類號: H01L31/0336
• 分類號: H01L31/0336;H01L31/0352;H01L31/102;H01L31/18
• 代理公司: 廣東廣信君達律師事務所 44329
• 代理人: 彭玉婷

1.一種基于混維Sn-CdS/碲化鉬異質結的光電探測器，其特征在于，所述光電探測器的結構為電極/Sn-CdS/MoTe₂異質結/電極；所述Sn-CdS/MoTe₂異質結中Sn-CdS為Sn摻雜CdS納米線，MoTe₂為納米片；所述Sn摻雜CdS納米線與MoTe₂納米片構建為垂直異質結，Sn-CdS/MoTe₂異質結不與電極接觸。

2.根據權利要求1所述的基于混維Sn-CdS/碲化鉬異質結的光電探測器，其特征在于，所述電極為Ti/Au，Ti的厚度為8～12nm，Au的厚度為45～55nm。

3.根據權利要求1所述的基于混維Sn-CdS/碲化鉬異質結的光電探測器，其特征在于，所述Sn摻雜CdS納米線中Sn摻雜量為1～3％，Sn摻雜CdS納米線的長度為100～500μm，直徑在1～5μm。

4.根據權利要求1所述的基于混維Sn-CdS/碲化鉬異質結的光電探測器，其特征在于，所述MoTe₂的厚度為10～30nm。

5.一種根據權利要求1-4任一項所述的基于混維Sn-CdS/碲化鉬異質結的光電探測器的制備方法，其特征在于，包括如下具體步驟：

S1.采用化學氣相生長法得到的Sn摻雜CdS納米線，將單根納米線放到Si/SiO₂襯底的表面，并在80～100℃加熱，使納米線與襯底貼合，制得Sn摻雜CdS納米線/Si/SiO₂襯底；

S2.采用機械剝離法剝離MoTe₂晶體，在硅片襯底上得到MoTe₂納米片；

S3.采用干法轉移的法將MoTe₂納米片轉移到步驟S1的Sn摻雜CdS納米線上，得到Sn-CdS/MoTe₂異質結；

S4.分別在MoTe₂納米片與Sn-CdS納米線的邊緣制作Ti/Au電極，在真空條件下150～200℃退火，制得電極/Sn-CdS/MoTe₂異質結/電極，即為基于混維Sn-CdS/MoTe₂異質結的光電探測器。

6.根據權利要求5所述的基于混維Sn-CdS/碲化鉬異質結的光電探測器的制備方法，其特征在于，步驟S1中所述加熱的時間為10～20min。

7.根據權利要求5所述的基于混維Sn-CdS/碲化鉬異質結的光電探測器的制備方法，其特征在于，步驟S4中所述退火的時間為20～30min。

8.權利要求1-4任一項所述的基于混維Sn-CdS/碲化鉬異質結的光電探測器在寬帶快速光電探測、成像或光電通訊領域中的應用。