[發(fā)明專(zhuān)利]一種深紫外LED及其制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202111492919.3
• 申請(qǐng)日: 2021-12-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114420800A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-04-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郭康賢;程權(quán)煒
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 廣州大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): H01L33/00
• 分類(lèi)號(hào): H01L33/00;H01L33/12;H01L33/20;H01L33/22;H01L33/48
• 代理公司: 廣州市華學(xué)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44245
• 代理人: 陳文姬

1.一種深紫外LED的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)在SiC襯底上制備GaN薄膜；

(2)在步驟(1)制備得到的GaN薄膜上制備AlN薄膜，得到SiC/GaN/AlN；

(3)將SiC/GaN/AlN的AlN薄膜鍵合到藍(lán)寶石襯底的上表面；

(4)剝離SiC襯底，然后再利用膜分離技術(shù)去除GaN層，得到藍(lán)寶石/AlN模板襯底；

(5)在藍(lán)寶石/AlN模板襯底的AlN薄膜上依次生長(zhǎng)AlGaN過(guò)渡層、n-AlGaN薄膜、量子阱層、p-AlGaN薄膜、p-GaN薄膜和p型電極反射層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的深紫外LED襯底的制備方法，其特征在于，步驟(5)之前還進(jìn)行以下步驟：

對(duì)步驟(4)得到的藍(lán)寶石/AlN模板襯底上的AlN薄膜進(jìn)行刻蝕，使其呈周期性柱狀結(jié)構(gòu)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的深紫外LED的制備方法，其特征在于，所述周期性柱狀結(jié)構(gòu)的AlN柱之間的間距為AlN柱的橫截面尺寸的6％～20％。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的深紫外LED的制備方法，其特征在于，所述周期性柱狀結(jié)構(gòu)的AlN柱的頂部為凹半球形。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的深紫外LED的制備方法，其特征在于，所述AlGaN過(guò)渡層為Al_0.3Ga_0.7N薄膜。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的深紫外LED的制備方法，其特征在于，還包括以下步驟：將所述藍(lán)寶石襯底的出光面刻蝕為半球形陣列結(jié)構(gòu)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的深紫外LED的制備方法，其特征在于，步驟(3)所述鍵合，具體為：采用原子擴(kuò)散技術(shù)或表面活化技術(shù)進(jìn)行鍵合。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的深紫外LED的制備方法，其特征在于，所述GaN薄膜采用金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相制備；

所述AlN薄膜采用金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相制備。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的深紫外LED的制備方法，其特征在于，所述剝離SiC襯底，具體為：采用激光剝離技術(shù)將SiC襯底剝離。

10.權(quán)利要求1～9任一項(xiàng)所述的深紫外LED的制備方法制備得到的深紫外LED，其特征在于，包括藍(lán)寶石襯底、AlN薄膜層、AlGaN過(guò)渡層、n-AlGaN薄膜、量子阱層、p-AlGaN薄膜、p-GaN薄膜、p型電極反射層、第一焊點(diǎn)、第二焊點(diǎn)和基板；

所述藍(lán)寶石襯底、AlN薄膜層、AlGaN過(guò)渡層、n-AlGaN薄膜、量子阱層、p-AlGaN薄膜、p-GaN薄膜、p型電極反射層依次層疊；

所述p型電極反射層依次通過(guò)第一焊點(diǎn)、第一焊盤(pán)與基板連接；

所述n-AlGaN層依次通過(guò)第二焊點(diǎn)、第二焊盤(pán)與基板連接。