[發明專利]陣列基板及其制作方法

有效

• 申請號: 202111491101.X
• 申請日: 2021-12-08
• 公開（公告）號: CN114137771B
• 公開（公告）日: 2023-08-01
• 發明（設計）人: 劉倩
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;G02F1/13
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 汪阮磊

本申請公開一種陣列基板及其制作方法。陣列基板包括基板、薄膜晶體管、第一鈍化層、有機膜層、公共電極、第二鈍化層及像素電極層。有機膜層包括位于薄膜晶體管上方的第一過孔。公共電極覆蓋像素區域，并包括第二過孔及圍繞第二過孔的緩壁。第二過孔連通第一過孔，且緩壁的底緣與第一過孔的頂緣之間具有間距。第二鈍化層包括連通第二過孔的第三過孔。像素電極層設在第二鈍化層上，并通過第一過孔、第二過孔及第三過孔連接第二金屬層，以優化公共電極的過孔邊緣形貌，提升應付制程波動限度。

技術領域

本申請涉及顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法。

背景技術

在液晶顯示面板的面內開關(In-Plane?Switching,IPS)模式或邊界電場開關(Fringe?Field?Switching,FFS)的顯示模式中，公共電極91作為液晶偏轉的一端，與像素電極92共同形成水平電場(如圖1所示)，使液晶偏轉從而實現顯示。以像素作為顯示區域、讓背光通過從而產生紅、綠、藍三原色的部分稱作開口區。為改善視角及提升顯示效率，通常將開口區內讓液晶偏轉的像素電極92設計成條紋狀。在液晶顯示模式中，通常有公共電極條紋狀、像素電極條紋狀兩種設計情況。當一種電極為條紋狀設計時，另一種電極為開口區整面性覆蓋設計。在像素電極條紋狀、公共電極正面性的情況時，會增加公共電極的電阻，更加大柵線、數據線的信號擾動對公共電極構成的電容的耦合作用。

常用制備公共電極是使用半色調掩膜(halftone?mask,HTM)工藝制作，在制作流程中，由于大面積HTM以及像素電極與第二金屬層聯通過孔的存在，需在HTM曝光流程后，同時滿足以下要求：殘留HTM光刻膠膜厚滿足工藝要求且不破膜；及像素電極連通過孔中無光刻膠存在。通常情況下，為達到上述要求，設計需要將公共電極光刻膠的過孔邊緣距離像素連通孔有一定的安全距離，提供足夠空間以防止光刻膠掉落連通孔內。然而，目前制程要求的安全距離相當大，造成所需空間加大，從而減小開口區面積，降低穿透率，使得液晶顯示屏功耗增加、顯示效果變差。此外，若所述安全距離不夠，則當制程對位偏移或關鍵尺寸波動，容易造成孔內灰化困難，殘留光刻膠下公共電極無法蝕刻，成為孔內異物，使像素電極與第二金屬層搭接異常，并導致顯示異常。

發明內容

本申請提供一種陣列基板及其制作方法，以解決傳統公共電極在對應像素連通孔的制備工藝中容易殘留光刻膠，造成像素電極與第二金屬層搭接異常，從而導致顯示異常的技術問題。

為解決上述問題，本申請提供的技術方案如下：

本申請實施例提供一種陣列基板，包括基板、設在所述基板上的第一金屬層、第二金屬層、第一金屬走線、第二金屬走線及薄膜晶體管。所述陣列基板還包括第一鈍化層，覆蓋所述薄膜晶體管；有機膜層，設在所述第一鈍化層上，并包括第一過孔，且所述第一過孔位于所述薄膜晶體管上方；公共電極，設在所述有機膜層上，包括第二過孔及圍繞所述第二過孔的緩壁，所述第二過孔連通所述第一過孔，且所述緩壁的底緣與所述第一過孔的頂緣之間具有間距；第二鈍化層，覆蓋所述公共電極層及所述有機膜層，并包括連通所述第二過孔的第三過孔，及通孔。所述通孔顯露部分所述公共電極，且所述第一過孔、第二過孔及第三過孔共同定義第一連通孔，且所述第一連通孔延伸至所述第一鈍化層，并穿透部分所述第一鈍化層，用以顯露部分所述薄膜晶體管；以及像素電極層，設在所述第二鈍化層上，并通過所述第一連通孔連接所述薄膜晶體管，及通過所述通孔連接所述公共電極。

可選地，所述陣列基板還包括第三金屬層，所述第三金屬層設在所述公共電極上，并接觸所述公共電極，其中所述第二過孔的緩壁的底緣與所述第一過孔的頂緣之間的所述間距小于2.5微米。

可選地，所述第二過孔在所述基板的正投影大于并覆蓋所述第一過孔在所述基板的正投影，所述第二鈍化層還包括包覆壁，其中所述包覆壁沿所述第一連通孔設置，并覆蓋所述第一過孔的孔壁及所述第二過孔的緩壁。