[發明專利]陣列基板及其制作方法

有效

• 申請號: 202111491101.X
• 申請日: 2021-12-08
• 公開（公告）號: CN114137771B
• 公開（公告）日: 2023-08-01
• 發明（設計）人: 劉倩
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;G02F1/13
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 汪阮磊

1.一種陣列基板的制作方法，所述陣列基板包括基板、設在所述基板上的第一金屬層、第二金屬層、第一金屬走線、第二金屬走線及薄膜晶體管，其特征在于，包括：

在所述基板上沉積第一鈍化層，所述第一鈍化層覆蓋所述薄膜晶體管；

在所述第一鈍化層上沉積有機膜層；

利用光刻工藝圖形化所述有機膜層，并形成第一過孔，且所述第一過孔對應于所述薄膜晶體管上方；

在所述有機膜層上沉積公共電極層；

利用半色調掩膜板對所述公共電極層進行光刻工藝，以形成公共電極及對應于所述第一過孔的第二過孔，所述公共電極在相鄰所述第二過孔處形成有緩壁，其中所述半色調掩膜板包括至少一成孔區及至少一狹縫，所述狹縫圍繞并間隔于所述成孔區設置，所述成孔區對應所述第二過孔，且所述狹縫對應所述緩壁，其中所述緩壁的底緣與所述第一過孔的頂緣之間具有間距，且所述緩壁的底緣與所述第一過孔的頂緣之間的間距小于2.5微米；

沉積第二鈍化層，并覆蓋第一過孔、所述有機膜層及所述公共電極層；

利用光刻工藝圖形化所述第二鈍化層，并形成第三過孔及通孔，其中所述通孔顯露部分所述公共電極，且所述第一過孔、第二過孔及第三過孔共同定義第一連通孔，所述第一連通孔延伸至所述第一鈍化層，并穿透部分所述第一鈍化層，所述第一連通孔顯露部分所述薄膜晶體管；

在所述第二鈍化層上沉積像素電極層；以及

利用光刻工藝圖形化所述像素電極層，以形成像素電極，所述像素電極層通過所述第一連通孔連接所述薄膜晶體管，及通過所述通孔連接所述公共電極。

2.如權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，在所述有機膜層上沉積公共電極層的步驟還包括：

在所述公共電極層上沉積第三金屬層；及

利用所述半色調掩膜板對所述公共電極層及所述第三金屬層進行多道光刻工藝，以圖形化所述公共電極層及所述第三金屬層。

3.如權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述半色調掩膜板還包括成膜區，且所述狹縫位于所述成膜區及所述成孔區之間，其中所述成膜區用于形成所述公共電極，所述成孔區用以形成所述第二過孔，且所述狹縫用于形成圍繞所述第二過孔的緩壁。

4.如權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，在沉積所述第一鈍化層的步驟前還包括形成所述薄膜晶體管的步驟，其中所述形成所述薄膜晶體管的步驟包括：

在所述基板上形成所述第一金屬層，且所述第一金屬層包括柵極及第一金屬走線；

在所述基板及所述第一金屬層上沉積柵極絕緣層；

在所述柵極絕緣層形成位于所述柵極上方的有源層；

利用光刻工藝在所述柵極絕緣層上形成接觸孔，以暴露所述第一金屬走線；

在所述有源層及所述柵極絕緣層上沉積第二金屬層；以及

利用光刻工藝在所述第二金屬層形成源極、漏極及第二金屬走線，其中所述第二金屬走線通過所述接觸孔連接所述第一金屬走線。

5.如權利要求4所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述陣列基板的制作方法還包括：

在所述第二鈍化層對應所述第二金屬走線的上方形成第二連通孔，所述第二連通孔穿透所述第二鈍化層、所述公共電極層、所述有機膜層及部分所述第一鈍化層以顯露所述第二金屬走線，其中所述像素電極層通過所述第二連通孔連接所述第二金屬走線及所述第一金屬走線。