[發明專利]微型發光二極管芯片及其制備方法

在審

• 申請號: 202111489498.9
• 申請日: 2021-12-08
• 公開（公告）號: CN114388673A
• 公開（公告）日: 2022-04-22
• 發明（設計）人: 蘭葉;朱廣敏;王江波
• 申請（專利權）人: 華燦光電（浙江）有限公司
• 主分類號: H01L33/44
• 分類號: H01L33/44;H01L33/38;H01L33/00
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 呂耀萍

本公開提供了一種微型發光二極管芯片及其制備方法，屬于光電子制造技術領域。該微型發光二極管芯片包括：基板、發光結構、第一焊點塊、第二焊點塊和緩沖結構；發光結構位于基板的表面，第一焊點塊、第二焊點塊和緩沖結構均位于發光結構的遠離基板的表面，第一焊點塊和第二焊點塊分別與發光結構的兩個電極連接；第一焊點塊和第二焊點塊間隔分布，緩沖結構位于第一焊點塊和第二焊點塊之間，緩沖結構部分嵌入第一焊點塊內，部分嵌入第二焊點塊內，第一焊點塊和第二焊點塊均與緩沖結構絕緣。本公開實施例能改善芯片上兩焊點塊之間區域因受應力而出現形變的問題，保證芯片的發光效果。

技術領域

本公開涉及光電子制造技術領域，特別涉及一種微型發光二極管芯片及其制備方法。

背景技術

微型發光二極管(Micro Light Emitting Diode，Micro LED)是指邊長在10μm至100μm的超小發光二極管，微型發光二極管的體積小，可以更密集的設置排列而大幅度提高分辨率，并且具有自發光特性，具有高亮度、高對比度、高反應性及省電的特點。

相關技術中，微型發光二極管芯片通常包括基板、外延結構、第一電極、第二電極、鈍化層、第一焊點塊和第二焊點塊，外延結構層疊于基板的一表面上，第一電極和第二電極位于外延結構的另一表面上，且第一電極和第二電極分別與外延結構中的n型層和p型層連接，鈍化層位于第一電極和第二電極上，第一焊點塊和第二焊點塊位于鈍化層上，且第一焊點塊和第二焊點塊分別與兩個電極連接。

由于第一焊點塊和第二焊點塊間隔排布在鈍化層的表面上，且在芯片的使用過程中，兩個焊點塊處會受到較大的壓力，促使兩個焊點塊之間的區域發生形變，進而影響芯片的發光效果和可靠性。

發明內容

本公開實施例提供了一種微型發光二極管芯片及其制備方法，能改善芯片上兩焊點塊之間區域因受應力而出現形變的問題，保證芯片的發光效果。所述技術方案如下：

一方面，本公開實施例提供了一種微型發光二極管芯片，所述微型發光二極管芯片包括：基板、發光結構、第一焊點塊、第二焊點塊和緩沖結構；所述發光結構位于所述基板的表面，所述第一焊點塊、所述第二焊點塊和所述緩沖結構均位于所述發光結構的遠離所述基板的表面，所述第一焊點塊和所述第二焊點塊分別與所述發光結構的兩個電極連接；所述第一焊點塊和所述第二焊點塊間隔分布，所述緩沖結構位于所述第一焊點塊和所述第二焊點塊之間，所述緩沖結構部分嵌入所述第一焊點塊內，部分嵌入所述第二焊點塊內，所述第一焊點塊和所述第二焊點塊均與所述緩沖結構絕緣。

可選地，所述第一焊點塊靠近所述緩沖結構的一側面設有第一嵌入槽，所述第二焊點塊靠近所述緩沖結構的一側面設有第二嵌入槽，所述緩沖結構位于所述第一嵌入槽和所述第二嵌入槽中。

可選地，所述緩沖結構與所述第一嵌入槽的槽壁和所述第二嵌入槽的槽壁之間均具有間隙；或者，所述緩沖結構與所述第一嵌入槽的槽壁和所述第二嵌入槽的槽壁之間均具有間隙，且所述間隙內設有絕緣層。

可選地，所述緩沖結構包括多個緩沖條，多個緩沖條平行間隔，多個所述緩沖條各自的兩端分別嵌入所述第一焊點塊和所述第二焊點塊中。

可選地，所述緩沖結構包括依次層疊于所述發光結構的表面上的Cr層、Al層、Ti層、Ni層和Sn合金層。

可選地，所述緩沖結構中，所述Cr層的厚度為50埃至150埃，所述Al層的厚度為2500埃至3500埃，所述Ti層的厚度為300埃至700埃，所述Ni層的厚度為6000埃至7000埃，所述Sn合金層的厚度為85000埃至86000埃。

可選地，所述第一焊點塊和所述第二焊點塊均包括依次層疊于所述發光結構的表面上的Cr層、Al層、Ti層、Ni層和Sn合金層。