[發(fā)明專利]微型發(fā)光二極管芯片及其制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202111489498.9
• 申請(qǐng)日: 2021-12-08
• 公開（公告）號(hào): CN114388673A
• 公開（公告）日: 2022-04-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蘭葉;朱廣敏;王江波
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華燦光電（浙江）有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/44
• 分類號(hào): H01L33/44;H01L33/38;H01L33/00
• 代理公司: 北京三高永信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138
• 代理人: 呂耀萍

1.一種微型發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述微型發(fā)光二極管芯片包括：基板(10)、發(fā)光結(jié)構(gòu)(20)、第一焊點(diǎn)塊(31)、第二焊點(diǎn)塊(32)和緩沖結(jié)構(gòu)(40)；

所述發(fā)光結(jié)構(gòu)(20)位于所述基板(10)的表面，所述第一焊點(diǎn)塊(31)、所述第二焊點(diǎn)塊(32)和所述緩沖結(jié)構(gòu)(40)均位于所述發(fā)光結(jié)構(gòu)(20)的遠(yuǎn)離所述基板(10)的表面，所述第一焊點(diǎn)塊(31)和所述第二焊點(diǎn)塊(32)分別與所述發(fā)光結(jié)構(gòu)(20)的兩個(gè)電極連接；

所述第一焊點(diǎn)塊(31)和所述第二焊點(diǎn)塊(32)間隔分布，所述緩沖結(jié)構(gòu)(40)位于所述第一焊點(diǎn)塊(31)和所述第二焊點(diǎn)塊(32)之間，所述緩沖結(jié)構(gòu)(40)部分嵌入所述第一焊點(diǎn)塊(31)內(nèi)，部分嵌入所述第二焊點(diǎn)塊(32)內(nèi)，所述第一焊點(diǎn)塊(31)和所述第二焊點(diǎn)塊(32)均與所述緩沖結(jié)構(gòu)(40)絕緣。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述第一焊點(diǎn)塊(31)靠近所述緩沖結(jié)構(gòu)(40)的一側(cè)面設(shè)有第一嵌入槽(310)，所述第二焊點(diǎn)塊(32)靠近所述緩沖結(jié)構(gòu)(40)的一側(cè)面設(shè)有第二嵌入槽(320)，所述緩沖結(jié)構(gòu)(40)位于所述第一嵌入槽(310)和所述第二嵌入槽(320)中。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微型發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述緩沖結(jié)構(gòu)(40)與所述第一嵌入槽(310)的槽壁和所述第二嵌入槽(320)的槽壁之間均具有間隙；或者，

所述緩沖結(jié)構(gòu)(40)與所述第一嵌入槽(310)的槽壁和所述第二嵌入槽(320)的槽壁之間均具有間隙，且所述間隙內(nèi)設(shè)有絕緣層。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微型發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述緩沖結(jié)構(gòu)(40)包括多個(gè)緩沖條，多個(gè)緩沖條平行間隔，多個(gè)所述緩沖條各自的兩端分別嵌入所述第一焊點(diǎn)塊(31)和所述第二焊點(diǎn)塊(32)中。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微型發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述緩沖結(jié)構(gòu)(40)包括依次層疊于所述發(fā)光結(jié)構(gòu)(20)的表面上的Cr層、Al層、Ti層、Ni層和Sn合金層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的微型發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述緩沖結(jié)構(gòu)(40)中，所述Cr層的厚度為50埃至150埃，所述Al層的厚度為2500埃至3500埃，所述Ti層的厚度為300埃至700埃，所述Ni層的厚度為6000埃至7000埃，所述Sn合金層的厚度為85000埃至86000埃。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微型發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述第一焊點(diǎn)塊(31)和所述第二焊點(diǎn)塊(32)均包括依次層疊于所述發(fā)光結(jié)構(gòu)(20)的表面上的Cr層、Al層、Ti層、Ni層和Sn合金層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的微型發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述第一焊點(diǎn)塊(31)中，Cr層的厚度為50埃至150埃，Al層的厚度為2500埃至3500埃，Ti層的厚度為300埃至700埃，Ni層的厚度為1500埃至2500埃，Sn合金層的厚度為89500埃至90500埃；

所述第二焊點(diǎn)塊(32)中，Cr層的厚度為50埃至150埃，Al層的厚度為2500埃至3500埃，Ti層的厚度為300埃至700埃，Ni層的厚度為1500埃至2500埃，Sn合金層的厚度為89500埃至90500埃。

9.一種微型發(fā)光二極管芯片的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：

提供一基板；

在所述基板上形成發(fā)光結(jié)構(gòu)；

在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述基板的表面形成第一焊點(diǎn)塊、第二焊點(diǎn)塊和緩沖結(jié)構(gòu)，所述第一焊點(diǎn)塊和所述第二焊點(diǎn)塊分別與所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的兩個(gè)電極連接；所述第一焊點(diǎn)塊和所述第二焊點(diǎn)塊間隔分布，所述緩沖結(jié)構(gòu)位于所述第一焊點(diǎn)塊和所述第二焊點(diǎn)塊之間，所述緩沖結(jié)構(gòu)的第一部分嵌入所述第一焊點(diǎn)塊內(nèi)，所述緩沖結(jié)構(gòu)的第二部分嵌入所述第二焊點(diǎn)塊內(nèi)，所述第一焊點(diǎn)塊和所述第二焊點(diǎn)塊均與所述緩沖結(jié)構(gòu)絕緣。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備方法，其特征在于，在所述基板遠(yuǎn)離所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的表面形成緩沖結(jié)構(gòu)包括：

刻蝕所述第一焊點(diǎn)塊，在所述第一焊點(diǎn)塊上形成多個(gè)第一嵌入槽，刻蝕所述第二焊點(diǎn)塊，在所述第二焊點(diǎn)塊上形成多個(gè)第二嵌入槽，所述第一嵌入槽延伸至所述第一焊點(diǎn)塊與所述第二焊點(diǎn)塊相對(duì)的側(cè)面，所述第二嵌入槽延伸至所述第二焊點(diǎn)塊與所述第一焊點(diǎn)塊相對(duì)的側(cè)面，所述第一嵌入槽與所述第二嵌入槽一一對(duì)應(yīng)；

在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的表面蒸鍍形成金屬層；

對(duì)所述金屬層進(jìn)行刻蝕，得到多個(gè)平行間隔的緩沖條，多個(gè)所述緩沖條各自的兩端分別嵌入所述第一嵌入槽和所述第二嵌入槽內(nèi)。