[發明專利]圓心對稱型3D基板鍍膜方法

在審

• 申請號: 202111486929.6
• 申請日: 2021-12-07
• 公開（公告）號: CN114150278A
• 公開（公告）日: 2022-03-08
• 發明（設計）人: 吳景揚;高維笛;簡昆峰;周宗震
• 申請（專利權）人: 業成科技（成都）有限公司;業成光電（深圳）有限公司;業成光電（無錫）有限公司;英特盛科技股份有限公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/54
• 代理公司: 成都希盛知識產權代理有限公司 51226
• 代理人: 張錫軍

1.一種圓心對稱型3D基板鍍膜方法，其特征在于，包含：

將3D基板、遮罩以及濺鍍靶材配置于中軸線上，其中所述遮罩具有中央開口且配置于所述3D基板與所述濺鍍靶材之間，而所述3D基板具有圓形截面；以及

以所述中軸線為轉軸，使所述遮罩與所述3D基板相對轉動，并執行濺鍍步驟，以讓所述濺鍍靶材的物質濺射并通過所述中央開口而沉積到所述3D基板上。

2.如權利要求1所述之圓心對稱型3D基板鍍膜方法，其特征在于，其中所述3D基板靜止不動，而所述遮罩以所述中軸線為轉軸且相對于所述3D基板轉動。

3.如權利要求1所述之圓心對稱型3D基板鍍膜方法，其特征在于，其中所述遮罩靜止不動，而所述3D基板以所述中軸線為轉軸且相對于所述遮罩轉動。

4.如權利要求1所述之圓心對稱型3D基板鍍膜方法，其特征在于，其中所述3D基板與所述遮罩皆以所述中軸線為轉軸而彼此相對轉動。

5.如權利要求1所述之圓心對稱型3D基板鍍膜方法，其特征在于，其中所述濺鍍靶材為方形或圓形平面。

6.如權利要求1所述之圓心對稱型3D基板鍍膜方法，其特征在于，其中所述3D基板面對所述遮罩的表面為凸面。

7.如權利要求1所述之圓心對稱型3D基板鍍膜方法，其特征在于，其中所述3D基板面對所述遮罩的表面為凹面。

8.如權利要求1所述之圓心對稱型3D基板鍍膜方法，其特征在于，其中所述3D基板、所述遮罩以及所述濺鍍靶材的中心配置于所述中軸線。

9.如權利要求1所述之圓心對稱型3D基板鍍膜方法，其特征在于，其中所述3D基板的表面由不同深度平面、不規則平面或曲面構成。

10.如權利要求1所述之圓心對稱型3D基板鍍膜方法，其特征在于，其中根據所述3D基板的形狀與尺寸而設計所述遮罩的所述中央開口，以利用所述遮罩修正所述3D基板的表面上各位置的膜厚分布。