[發明專利]陣列基板及其制備方法、顯示面板

在審

• 申請號: 202111482086.2
• 申請日: 2021-12-07
• 公開（公告）號: CN114171601A
• 公開（公告）日: 2022-03-11
• 發明（設計）人: 張羿;葛世民
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/34
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 蔡艾瑩

本申請提供一種陣列基板及其制備方法、顯示面板，該陣列基板包括：襯底；有源層，設置于襯底上；保護層，設置于有源層遠離襯底的一側，保護層包括保護部、第一導通部以及第二導通部，第一導通部以及第二導通部位于保護部的兩側，保護部能夠阻擋包含氫元素的物質，第一導通部以及第二導通部能夠導電；源極，設置于第一導通部遠離有源層的一側；漏極，設置于第二導通部遠離有源層的一側。該陣列基板的保護層能夠阻止該氫元素向有源層等陣列基板的內部結構注入，使得應用該陣列基板的顯示面板能夠穩定運作。

技術領域

本申請涉及顯示技術領域，具體涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示面板。

背景技術

液晶顯示裝置是一種通過面板內的像素電極和公共電極之間形成電場，控制液晶分子的排列，并通過控制液晶分子對光的折射率，即可以顯示畫面的平板顯示裝置。液晶顯示裝置包括顯示面板，顯示面板由陣列基板和彩膜基板構成，其中陣列基板由橫行排列的柵線和縱向排列的數據線構成，并且在每個柵線和數據線交叉處設有一個開關，以控制每個像素。

非晶氧化物薄膜晶體管因其高的遷移率，良好的均勻性，對可見光良好的透過性和低溫的制作過程，被廣泛應用于陣列基板中。其中，非晶氧化物半導體是非晶氧化物薄膜晶體管中的一種重要的有源層材料，非晶氧化物半導體具有較高的載流子濃度，具備較強的電荷傳輸能力，可以有效地驅動薄膜晶體管器件。

但是非晶氧化物半導體對含有氫元素的物質敏感，該氫元素注入至有源層會導致使用該非晶氧化物薄膜晶體管的閾值電壓顯著負偏。所以，如何阻止氫元素向有源層注入，對顯示面板的良好運作起到十分關鍵的作用。

發明內容

本申請實施例提供一種陣列基板及其制備方法、顯示面板，該陣列基板的保護層能夠阻止該氫元素向有源層等陣列基板的內部結構注入，使得應用該陣列基板的顯示面板能夠穩定運作。

本申請實施例提供一種陣列基板，包括：

襯底；

有源層，設置于所述襯底上；

保護層，設置于所述有源層遠離所述襯底的一側，所述保護層包括保護部、第一導通部以及第二導通部，所述第一導通部以及所述第二導通部位于所述保護部的兩側，所述保護部能夠阻擋包含氫元素的物質，所述第一導通部以及所述第二導通部能夠導電；

源極，設置于所述第一導通部遠離所述有源層的一側；

漏極，設置于所述第二導通部遠離所述有源層的一側。

在一些實施例中，所述保護部的材料包括致密的金屬氧化物。

在一些實施例中，所述陣列基板還包括第一鈍化層，設置于所述保護部、所述源極以及所述漏極遠離所述有源層的一側。

在一些實施例中，所述第一鈍化層包括氮化硅、氮氧化硅以及氧化硅中的一種或多種組合。

本申請實施例提供一種陣列基板的制備方法，包括：

提供一襯底；

在所述襯底上形成有源層；

在所述有源層遠離所述襯底的一側形成保護層，所述保護層包括保護部、第一導通部以及第二導通部，所述第一導通部以及第二導通部位于所述保護部的兩側，所述保護部能夠阻擋包含氫元素的物質，所述第一導通部以及所述第二導通部能夠導電；

在所述第一導通部遠離所述有源層的一側形成源極；

在所述第二導通部遠離所述有源層的一側形成漏極。

在一些實施例中，在所述有源層遠離所述襯底的一側形成保護層的步驟，所述陣列基板的制備方法包括：

在所述有源層遠離所述襯底的一側形成致密的金屬氧化層；